BP2329A、BP2326A晶丰非隔离高PF方案

BP2329A ---非隔离/APFC技术；

                      外置高压功率MOSFET，40W以内；

                      温度控制技术确保高温工作不闪烁；                           

                      单绕组电感；

                      自带OVP保护；

                      恒流精度极高；

                      通过EMI测试 

BP2329A特点：

 高功率因素（0.969@220Vac，满载）

 高效率（ 90.2%@220Vac，满载）

 高精度线性调整率（±0.2%@90Vac~265Vac，满载）

 高精度负载调整率（±0.2%@220Vac，Vo：36V~76V）

 具有多种保护功能，可靠性高 体积小

（长*宽*高= 105*16*10 mm）

 总元件数少，成本低

BP2325A、BP2326A、BP2327A （PIN脚位） ---  非隔离/APFC技术；

                      内置高压功率MOSFET（500V/650V）,分别是8W/12W；

                      温度控制技术确保高温工作不闪烁；                           

                      单绕组电感；

                      自带OVP保护；

                      恒流精度极高；

                      通过EMI测试 

BP2326A特点：

 高功率因素（0.899 @ 220Vac，满载）

 高效率（ 88.7 @ 220Vac，满载）

 高精度线性调整率（±0.51% @ 85Vac~265Vac，满载）

 高精度负载调整率（±0.00% @ 220Vac，Vo：15V~50V）

 具有多种保护功能，可靠性高 通过EMI测试，且有足够裕量

 体积小（长*宽*高= 52.5*26*16 mm）

 总元件数少，成本低