本文介绍一下Infineon的IGBT选型问题。
备注：此文档内容是从“北京晶川电子”的销售资料摘录下来的，如有雷同，纯属巧合！若是有资料的同僚，也就不要取笑我班门弄虎了。
英飞凌（Infineon）是德国西门子半导体集体（Siemens）的独立上市公司。前身也叫欧派克（EUPEC：欧洲电力电子公司）。
Infineon的IGBT模块：可以从开始的2个字得出大概的内部拓扑图。
·2单元的半桥IGBT拓扑：以BSM和FF开头。
·4单元的全桥IGBT拓扑：以F4开头。这个目前已经停产，大家不要选择。
·6单元的三项全桥IGBT拓扑：以FS开头。
·三项整流桥+6单元的三项全桥IGBT拓扑：以FP开头。
·专用斩波IGBT模块：以FD开头。其实这个完全可以使用FF半桥来替代。只要将另一单元的IGBT处于关闭状态，只使用其反向恢复二极管即可。
IGBT模块主要是根据工作电压，工作电流，封装形式和开关频率来进行选择。
·工作电压：
Infineon的IGBT模块常用的电压为：600V，1200V，1700V。这个电压为系统的直流母线工作电压。普通的交流220V供电，使用600V的IGBT。交流380V供电，使用1200V的IGBT。
Infineon也有大功率的3300V，4500V，6500V的IGBT可供选择，一般用于机车牵引和电力系统中。
最近，电动汽车概念也火的一塌糊涂，Infineon推出了650V等级的IGBT，专门用于电动汽车行业。不过，这些IGBT是汽车级别的，属于特种模块，价格偏贵。
这里跑题一下：一般电子器件的等级分为5个等级：航空航天—军工—汽车—工业—民用。一听名字，就知道他们的价格趋势。Infineon的IGBT，除了电动汽车用的650V以外，都是工业等级的。貌似IGBT都没有军工等级的，也不知道军队用的IGBT是怎么弄出来的，这里汗一个！！！
·工作电流和封装形式：
这2个参数要同时介绍。因为，不同封装形式的IGBT，其实主要就是为了照顾IGBT的散热。IGBT属于功率器件，散热不好，就会直接烧掉。当然，封装也涉及到IGBT内部的杂散电感之类的问题，这里就先不介绍了。
单管IGBT：TO-247这种形式的封装。一般电流从5A~75A左右。一个封装封装1个IGBT芯片。如IKW（集成了反向二极管）和IGW（没有反向二极管）。
Easy封装（俗称“方盒子”）：这类封装是低成本小功率的封装形式：工作电流从10A~35A。不过，这类封装，一个easy封装一般都封装了6个IGBT芯片，直接组成3相全桥。
34mm封装（俗称“窄条”）：由于底板的铜极板只有34mm宽，所以，只能容下50A，75A，100A，150A的工作电流。这类封装，一般都封装了2个IGBT新片，组成一个半桥。
62mm封装（俗称“宽条”）：IGBT底板的铜极板增加到62mm宽度。所以，IGBT工作电流能有150A，200A，300A，400A，450A。一般都封装了2个IGBT新片，组成一个半桥。
Econo封装（俗称“平板型”）：分为EconoDUAL，EconoPIM，EconoPACK之类的。此模块可以用于中功率封装，比如450A，600A，800A等。
IHV,IHM,PrimePACK封装（俗称“黑模块”）：这类模块的封装颜色是黑色的，属于大功率模块。一般3300V，4500V，6500V的模块，都使用这类封装，由于电压高了，电流一般在1000A~200A；某些特殊应用的1200V模块，也采用这类封装，电流最大达到3600A。IHV,IHM是经典封装形式，经历市场20多年的考验。PrimePACK是近年新推出的封装，这个重点在IHV,IHM的基础上做了散热和杂散电感的优化。
·开关频率：
Infineon有8种IGBT芯片供客户选择。IGBT命名方式中，能体现IGBT芯片的年代。Infineon目前共有5代IGBT：第一代和第二代采用老命名方式，一般为BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。第三代IGBT开始，采用新的命名方式。命名的后缀为：T3，E3，P3。第四代IGBT命名的后缀为：T4，S4，E4，P4。第五代IGBT命名后缀为5。大家选择的时候，尽量选择最新一代的IGBT，芯片技术有所改进，IGBT的内核温度将有很大的提升。第三代IGBT能耐150度的极限高温。第四代IGBT能耐175度的极限高温。第五代据说能耐200度的极限高温。补充：是极限高温，不是正常工作的温度。
各代的IGBT芯片都有自己适合工作的开关频率，不能乱选型。具体如下：
|
后缀类型 |
最佳开关频率(KHz) |
饱和压降(V) |
DLC |
1 KHz ~8 KHz |
2.10V |
DN2 |
10 KHz ~20KHz |
2.50V |
S4 |
15 KHz ~30KHz |
3.20V |
E3 |
1 KHz ~10 KHz |
1.70V |
T3 |
8 KHz ~15KHz |
1.70V |
P4 |
1 KHz ~8 KHz |
1.75V |
E4 |
1 KHz ~12 KHz |
1.75V |
T4 |
8 KHz ~20KHz |
1.75V |
这里有一个问题：开关频率最大的IGBT型号是S4，可以使用到30KHz的开关频率。如FF200R12KS4和FF300R12KS4。但是，S4的饱和压降反而是最大3.20V。理论上开关的损耗应该最大。
Infineon那边给出的解释为：IGBT的“损耗”包括“导通损耗”和“开关损耗”。饱和压降只决定“导通损耗”。而“开关损耗”则由IGBT芯片本身决定。当开关频率很高时：导通的时间相对于很短，所以，导通损耗只能占一小部分。而绝大部分的损耗则是由“开关损耗”决定的。而S4芯片，优化了“开关损耗”，使其减少。达到“损耗”总体减少的目标。这个也是为什么低开关频率的IGBT芯片，为何饱和压降小的原因。低开关频率，“损耗”就主要由“导通损耗”决定了，所以，需要降低饱和压降。
