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讨论PI不同的吸收电路的优缺点及应用场合
阅读: 17540 |  回复: 130 楼层直达

2014/08/06 13:01:09
1
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

      吸收电路是开关电源及各种电力电子电路安全运行必不可少的一种开关辅助电路,也是必不可少的电路。下面先来看看PI的tiny switch 跟TOP switch的吸收电路,为什么PI的tiny switch采用TVS吸收电路,而TOP switch采用RCD吸收电路?先上图,,

   

2014/08/06 13:53:45
2
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

     1.RC吸收电路

     1所示是一个RC吸收网络的电路图。它是电阻Rs与电容Cs串联的一种电路,同时与开关并联连接的结构。若开关断开,蓄积在寄生电感中的能量对开关的寄生电容充电的同时,也会通过吸收电阻对吸收电容充电。这样由于吸收电阻的作用,其阻抗将变大,那么,吸收电容也就等效地增加了开关的并联电容的容量,从而抑制开关断开的电压浪涌。而在开关接通时,吸收电容又通过开关放电,此时,其放电电流将被吸收电阻所限制。

   

2014/08/06 16:02:57
9
rowkk2803
电源币:118 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
在一般的反激电路中,RC吸收电路比较少见到过,效果比rcd的差?
2014/08/06 16:06:21
10
uf_1269
电源币:21 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位,效果比RC好,它也可以采用较大电阻,能量损耗也比RC 小。
2014/08/06 16:06:49
11
uf_1269
电源币:21 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
    不够RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量,而 且也消耗变压器励磁能量,因此降低了变换器变换效率。
2014/08/06 22:53:32
28
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
D拿掉的话,R的损耗就大了,效率降低,而且R的功率要加大。
2014/08/06 23:20:05
34
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长
rcd吸收电路优于RC吸收电路。
2014/08/08 09:25:11
40
beakline
电源币:111 | 主题帖:0 | 回复帖:4
LV2
班长
资料不错,继续做等大家讨论。。
2017/02/05 12:34:45
78
erecing
电源币:405 | 主题帖:21 | 回复帖:162
LV6
团长
RCD是在RC基础上改进的,增加了一个反向稳压管用于吸收电流,钳位效果更好
2017/02/05 19:10:44
79
眼睛里的海
电源币:1301 | 主题帖:17 | 回复帖:177
LV6
团长
RCD吸收电路对过电压的抑制要好于RC吸收电路,与RC电路相比Vce升高的幅度更小。
2017/04/07 21:48:42
90
k_menlow
电源币:161 | 主题帖:26 | 回复帖:111
LV5
营长
能给解释一下为什么RCD吸收电容耐压的耐压要和MOS管耐压一样?
2017/04/07 21:53:57
92
wengnaibing
电源币:41 | 主题帖:20 | 回复帖:134
LV5
营长
Vclamp一般就100多V,但是这个电容基本选的耐压是1kv的。
2017/04/07 21:55:45
94
wengnaibing
电源币:41 | 主题帖:20 | 回复帖:134
LV5
营长
电容为什么不用一两百伏的,跟电容特性有关,这里是高频脉冲电压,所以对电容的脉冲能力要求高。
2014/08/07 08:17:21
36
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长
楼上几位说得差不多。。
2016/12/04 21:46:12
65
fordfiash
电源币:0 | 主题帖:64 | 回复帖:247
LV7
旅长
肯定不如rcd经典,rc是最基本的,rcd是在rc基础上改进的
2017/02/05 19:13:03
80
wengnaibing
电源币:41 | 主题帖:20 | 回复帖:134
LV5
营长
一般用RCD比较多,RCD吸收电路由于可以取大阻值的吸收电阻,在一定程度上也可以降低了损耗。
2017/04/07 21:49:25
91
k_menlow
电源币:161 | 主题帖:26 | 回复帖:111
LV5
营长
为了保证可靠性,这个电容使用什么样的电容较合适?能给推荐个型号吗?
2017/04/07 21:54:54
93
wengnaibing
电源币:41 | 主题帖:20 | 回复帖:134
LV5
营长
高压瓷片电容最好不要用作吸收用,高频特性不好,发热严重。
2017/02/15 10:35:12
87
追逐之光
电源币:0 | 主题帖:0 | 回复帖:73
LV4
连长
梦想很轻,却因此拥有飞向蓝天的力量。
2017/04/07 21:58:33
95
wengnaibing
电源币:41 | 主题帖:20 | 回复帖:134
LV5
营长
RCD钳位电路,目的是消耗漏感能量,但不能消耗主励磁电感能量,否则会降低电路效率
2017/04/07 23:12:04
111
opingss88
电源币:42 | 主题帖:70 | 回复帖:253
LV7
旅长
吸收电路就是缓冲电路吧,是电力电子器件的一种重要的保护电路,用于半控型器件的保护
2017/04/07 23:13:55
112
opingss88
电源币:42 | 主题帖:70 | 回复帖:253
LV7
旅长
基本原理是利用电感电流不突变特性抑制器件的电流上升率,利用电容电压不突变的特性抑制器件的电压上升率
2017/04/08 13:44:41
115
truim333
电源币:49 | 主题帖:75 | 回复帖:289
LV8
师长
RCD电路在电源中能够较大程度的吸收电阻,从而起到降低损耗的作用
2014/08/06 13:55:48
3
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

        2.RCD吸收电路

       它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成, 其中电阻Rs也可以与二极管VDs并联连接。若开关断开, 蓄积在寄生电感中的能量将通过开关的寄生电容充电, 开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时, 吸收二极管导通, 从而使开关电压被吸收二极管所钳位(约为1 V左右), 同时寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间,吸收电容则通过电阻放电。

        

2014/08/06 15:28:20
6
dahaizi1212
电源币:14 | 主题帖:35 | 回复帖:242
LV6
团长

不错的资料,我也上传一份RCD吸收电路的资料,希望对大家有帮助。

RCD吸收电路.doc

2014/08/06 15:55:14
8
rowkk2803
电源币:118 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
你好,我是新手,这个RCD吸收电路中的RC值算起来好像比较麻烦,大家有真正去算这个RC的具体值吗,还是都用经验值,然后再去调?
2014/08/06 17:24:33
14
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
我感觉大多数人设计一般电源都是靠经验值的吧,除非你是很资深的工程师。
2014/08/06 17:40:04
15
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长

这资料里的图中的Vcmax怎么算的?

2014/08/06 22:42:01
26
rowkk2803
电源币:118 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
Vcmax是电容快速充电的峰值电压。
2014/08/06 22:58:23
29
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
RCD吸收的除了吸收掉尖峰能量之外,还有一小部分变压器的储能能量的。
2014/08/08 09:23:28
39
beakline
电源币:111 | 主题帖:0 | 回复帖:4
LV2
班长
电阻功率一般按理论值的多大选取?
2014/08/08 09:30:57
41
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长
至少要大于计算值的两倍选取。
2014/08/08 09:34:57
42
beakline
电源币:111 | 主题帖:0 | 回复帖:4
LV2
班长
那C的耐压值呢?依据什么取的?
2014/08/08 09:40:15
43
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长
因为输入电压220V时,变压器的尖峰电压都500多V,所以C的耐压值至少要大于500V,一般取1kV.
2017/02/03 22:44:38
72
trllgh
电源币:1 | 主题帖:29 | 回复帖:212
LV6
团长
RCD吸收电路中的C耐压要按2倍以上取值,是要取1KV以上比较保险。
2017/04/24 13:00:10
129
紫蝶
电源币:148 | 主题帖:18 | 回复帖:218
LV5
营长
RCD吸收电路的电容耐压要高于1KV,这工程应用中需要这样设计,要不然容易击穿失去作用的。
2017/02/06 17:04:05
84
tmpeger
电源币:0 | 主题帖:68 | 回复帖:303
LV8
师长
RCDZ箝位的效率最高,比传统的RCD箝位还要好,为什么不采用RCDZ
2017/04/07 22:06:00
99
k_menlow
电源币:161 | 主题帖:26 | 回复帖:111
LV5
营长
RCDZ电路保持RCD配置的低EMI特性,并可降低空载输入功耗。但却产生较高的EMI,不好过emi
2017/04/07 22:18:58
105
xxbw6868
电源币:789 | 主题帖:15 | 回复帖:114
LV5
营长
RCD配置成本最低,另外还有一种RDZ,电阻RC1可以衰减振荡,可以降低传导EMI
2017/04/09 20:58:14
123
gdhe342
电源币:86 | 主题帖:65 | 回复帖:251
LV7
旅长
说的没错,一般都是先参考经典电路做,不然出错的概率很大,在经典的基础上再改进
2014/08/06 22:06:14
18
flowerstow
电源币:59 | 主题帖:0 | 回复帖:11
LV2
班长
R或者C取太大会怎么样?
2014/08/06 22:20:12
22
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长

RCD吸收电路中的R值如果过小,就会降低开关电源的效率。如果R值如果过大,MOS管就存在着被击穿的危险。 

 

2014/08/06 22:29:15
25
rowkk2803
电源币:118 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长

看这个图更简单明了

2014/08/06 22:45:14
27
spowergg
电源币:20 | 主题帖:43 | 回复帖:291
LV7
旅长
很好的资料,对新手来说很有帮助。MARK一下以后方便学习。。
2017/02/05 19:17:24
81
wengnaibing
电源币:41 | 主题帖:20 | 回复帖:134
LV5
营长
RCD电阻电容乘积R×C合理,C偏小此时电压尖峰比较高,电容和mos管应力都很大。
2017/04/07 22:08:42
101
dahaizi1212
电源币:14 | 主题帖:35 | 回复帖:242
LV6
团长
若RC值取值比较合适,到开关管Q再次开通时,电容C上电压刚好放到接近于变压器副边反射的电压,此时钳位效果较好
2017/04/20 17:12:31
127
gxg1122
电源币:99 | 主题帖:54 | 回复帖:410
LV7
旅长
楼上这个应用图比较直观,很好理解RC钳位电路选择不当引起的波形问题。
2017/01/04 22:51:31
69
tabing_dt
电源币:2017 | 主题帖:81 | 回复帖:661
LV8
师长
电阻R上的能量损耗跟所选电容的大小成正比,所以必须选择合适的电容,才能做到既缩短集电极电压的上升时间,又保证降低电阻R上的能量损耗。
2017/04/07 21:59:40
96
wengnaibing
电源币:41 | 主题帖:20 | 回复帖:134
LV5
营长
RCD钳位电路的计算只是确定R与C值的数量级,其具体参数可根据实际测试波形做调整
2017/04/08 13:50:31
116
truim333
电源币:49 | 主题帖:75 | 回复帖:289
LV8
师长
MOS电压尖峰的吸收电路有很多种,如RCD,RDTVS,RCD+TVS等,常用的是前两者
2017/04/07 22:08:05
100
dahaizi1212
电源币:14 | 主题帖:35 | 回复帖:242
LV6
团长
若RC过小,则电容C充电较快,且C将通过电阻R很快放电,整个过程中漏感能量消耗很快,在开关管开通前钳位电阻则成为变压器的负载,消耗变压器存储的能量,降低效率。
2017/04/08 13:52:06
117
truim333
电源币:49 | 主题帖:75 | 回复帖:289
LV8
师长
这几种钳位电路均是为了吸收漏感的能量以降低主开关管的电压应力
2017/04/14 23:10:33
125
黑夜公爵
电源币:563 | 主题帖:136 | 回复帖:621
LV9
军长
漏极电压裕量通过使用更大的变压器匝数比,提高可靠性,减小输出二极管的电压应力
2014/08/06 13:58:42
4
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

     3.LC吸收电路    

      LC吸收电路由Ls、Cs、VDs1和VDs2构成。若开关断开, 蓄积在漏磁或励磁等电感中的能量可通过VDs1经电容Cs放电, 使吸收电容Cs电压反向, 从而使变压器由电容电压消磁。这期间, 输入电压与吸收电容的电压加到开关上的电压极性再次反向。一般情况下, LC吸收电路不消耗能量.

     

2014/08/06 23:15:25
33
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
这个吸收电路比较少用,学习了。。
2014/08/07 08:20:23
38
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长
反激电路中,一般用RCD吸收电路跟TVS吸收电路比较多。。
2017/02/03 22:50:41
73
眼睛里的海
电源币:1301 | 主题帖:17 | 回复帖:177
LV6
团长
是啊,因为TVS吸收电路只能用在功率很小的电源上,比如10W以下的电源。大多的电源还是得RCD吸收电路才行。
2017/04/07 22:10:50
102
dahaizi1212
电源币:14 | 主题帖:35 | 回复帖:242
LV6
团长
RCD吸收和瞬态电压抑制器(TVS)吸收是两种常用的电路,其中RCD最为常用,可靠性较高。
2017/04/08 13:39:02
113
truim333
电源币:49 | 主题帖:75 | 回复帖:289
LV8
师长
吸收电路一般由电阻电容二极管组成,常和开关管或二极管包括高频整流二极管并接
2017/02/10 10:52:20
86
谢厚林[荣誉版主]
电源币:14 | 主题帖:42 | 回复帖:2913
LV12
元帅

正激不叫吸收电路,叫复位电路

2017/04/07 22:12:50
103
dahaizi1212
电源币:14 | 主题帖:35 | 回复帖:242
LV6
团长
吸收电路一般用于反激电源中,正激电源不加也可以,但要加去磁绕组
2014/08/06 15:18:03
5
dahaizi1212
电源币:14 | 主题帖:35 | 回复帖:242
LV6
团长
这两种吸收电路有什么区别?有什么优缺点?
2014/08/06 15:49:32
7
rowkk2803
电源币:118 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
RCD的有吸收消耗能量,而TVS的尖峰电压没有达到钳位值,TVS不会吸收消耗能量,所以TVS方案效率高些。
2014/08/06 16:11:29
12
uf_1269
电源币:21 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
用TVS吸收电路虽然效率高,但是反向峰值电压过高会导致TVS永久击穿.
2014/08/06 17:18:36
13
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
TVS吸收电路成本也高一些,所以实际应用中用RCD电路用得多一些,是出于成本考虑?还是其他的?
2014/08/06 22:13:10
20
uf_1269
电源币:21 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
我觉得应该是看你设计电路设计的需要来选取。想效率高的话就选TVS吸收电路。
2014/08/06 23:24:41
35
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长
这两个电路都有看到再用吧,看自己的设计要求
2017/01/04 22:52:55
70
tabing_dt
电源币:2017 | 主题帖:81 | 回复帖:661
LV8
师长
TVS管吸收电路应用的电源电路功率比较小,否则TVS管容易损坏。功率大的话还是用RCD吸收电路,
2017/04/07 22:15:33
104
dahaizi1212
电源币:14 | 主题帖:35 | 回复帖:242
LV6
团长
TVS管有一个明显的缺点就是耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差;
2014/08/06 17:46:19
16
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
TVS吸收电路中TVS串接在一起的那个二极管做什么用的?
2014/08/06 18:17:12
17
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长
主要是防止输入电压直接通过TVS管到那个MOS管。
2014/08/06 22:09:14
19
flowerstow
电源币:59 | 主题帖:0 | 回复帖:11
LV2
班长
在选TVS的时候主要看哪几个参数?
2014/08/06 22:16:15
21
uf_1269
电源币:21 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长

上传一份资料让你参考下,

TVS参数及选型方法.pdf

2017/04/24 13:02:08
130
紫蝶
电源币:148 | 主题帖:18 | 回复帖:218
LV5
营长
多谢楼上这个 TVS参数及选型方法  手册。
2014/08/06 22:21:41
23
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长
TVS一般有这个几个参数,最大箝位电压VC,最大峰值脉冲电流IPP,最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VRWM,最大峰值脉冲功耗PM,
2014/08/06 22:26:11
24
rowkk2803
电源币:118 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
请问在这个电路中TVS耐压值怎么确定?
2014/08/06 23:05:52
30
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
TVS管电压=反射电压VOR*1.2倍
2014/08/06 23:09:00
31
rowkk2803
电源币:118 | 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
你好我想再请教下,当TVS导通时,流过TVS的电流是什么电流?
2014/08/06 23:11:03
32
laihaik
电源币:134 | 主题帖:0 | 回复帖:6
LV2
班长
流过TVS的峰值电流与反激电源初级MOS的峰值电流差不多相同。
2017/02/06 17:05:18
85
tmpeger
电源币:0 | 主题帖:68 | 回复帖:303
LV8
师长
每个开关周期MOSFET关断的一瞬间在MOSFET漏极出现过高的电压尖峰
2017/02/05 11:20:19
75
opingss88
电源币:42 | 主题帖:70 | 回复帖:253
LV7
旅长
控制引脚旁路电容应尽可能接近源极和控制引脚, 其源极连线上不应有电源MOSFET的开关电流流过。
2017/04/07 22:20:20
106
xxbw6868
电源币:789 | 主题帖:15 | 回复帖:114
LV5
营长

选取的时候TVS的最大反向钳位电压VC应小于被保护电路的损坏电压;

2017/04/07 22:24:55
107
xxbw6868
电源币:789 | 主题帖:15 | 回复帖:114
LV5
营长

还有稳态功率P0,极间电容Cj,峰值电流波形。最主要的是楼上说的那几个参数。

2014/08/07 08:19:28
37
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长
主要最大箝位电压VC跟最大脉冲电流。。。
2017/04/08 13:43:16
114
truim333
电源币:49 | 主题帖:75 | 回复帖:289
LV8
师长
开关管V的集电极与电源公共线之间存在电容,集电极电流提供了附加的通路
2014/08/10 22:33:25
44
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长
楼主有驱动LED的技术方案吗?目前正打算用PI的芯片做个恒流的驱动!
2014/08/10 23:13:46
45
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

很早之前有用TYN274PN做的一款恒流产品,不知道对你有没有借鉴的价值?

2014/08/10 23:21:52
46
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

输入电压:90-246V,频率工作在50/60HZ.

输出电压:4.3V,输出电流700MA.

Lp=1.2mh@132k

2014/08/10 23:24:12
47
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

变压器的绕制方法也很关键的。

2014/08/10 23:26:26
48
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

各个测试电压点所测得的待机功耗值

2014/08/10 23:28:53
49
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

这个方案比较早的07年的方案了,测试出来的效率不是很高,满载的时候才60%左右,不够负载的功率太小,效率低一点也是很正常的。

2014/08/10 23:32:44
50
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

4.5是测试满载时MOS管漏极的波形图,Input

4.6是电源启动时间Input=85V   100us/div*4=400us.  Input=265V 100us/div*3.8=380us

2014/08/10 23:34:46
51
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

这个电源EMI波形还是不错的。所以过EMI是没什么问题的

2014/08/10 23:37:53
53
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长

谢谢楼主的资料,资料挺全的。

2014/08/11 08:14:33
60
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

材料清单:元件不多

2017/04/08 13:56:09
118
fordfiash
电源币:0 | 主题帖:64 | 回复帖:247
LV7
旅长
至少要给MOS电压应力留10%的裕量,尤其是没有软启动切功率相对较大的电源
2017/04/11 14:52:55
124
truim333
电源币:49 | 主题帖:75 | 回复帖:289
LV8
师长
初级旁路的一个10uF电容将选择一个与相邻小型号相同的流限值
2017/04/14 23:11:40
126
黑夜公爵
电源币:563 | 主题帖:136 | 回复帖:621
LV9
军长
应当选择合适的电阻能在初次连接到AC线路对输入电容充电时承受瞬间耗散
2017/04/07 22:26:32
108
xxbw6868
电源币:789 | 主题帖:15 | 回复帖:114
LV5
营长
不同的变压器绕制方法可以有不同的漏感跟层间电容等,从而影响EMI.
2017/04/07 22:28:08
109
xxbw6868
电源币:789 | 主题帖:15 | 回复帖:114
LV5
营长
如最常用三明治绕法就有两种,初级夹次级绕法,次级夹初级绕法。
2017/04/07 22:48:21
110
tabing_dt
电源币:2017 | 主题帖:81 | 回复帖:661
LV8
师长
三明治绕法增加了初次级的耦合面积,减小了漏感,但是又使初次级的耦合电容增加了。
2017/04/08 13:58:39
119
fordfiash
电源币:0 | 主题帖:64 | 回复帖:247
LV7
旅长
变压器的漏感是不可消除的,但可以通过合理的电路设计和绕制使之减小
2017/04/08 13:59:39
120
fordfiash
电源币:0 | 主题帖:64 | 回复帖:247
LV7
旅长
设计和绕制合理,对漏感的影响是很明显的, 合理的方法,可将漏感控制在初级电感的1.5%左右
2017/04/08 14:01:22
121
fordfiash
电源币:0 | 主题帖:64 | 回复帖:247
LV7
旅长
设计时应综合变压器磁芯的选择和初级匝数的确定,尽量使初级绕组可紧密绕满磁芯骨架一层或多层
2017/04/08 14:02:53
122
fordfiash
电源币:0 | 主题帖:64 | 回复帖:247
LV7
旅长
绕制时绕线要尽量分布得紧凑均匀,线圈和磁路空间上更接近垂直关系,耦合效果更好
2014/08/10 23:36:51
52
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长
这个原理图方便把原文件上传一下吗?这图有点模糊啊
2014/08/10 23:40:58
54
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

这是原理图,用protel99se以上版本打开即可

TNY274PN_3W_LED.rar

2014/08/10 23:44:57
55
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

我把这个案子的测试报告资料跟TYN274PN的中文资料也一起给你上传了

tny274-280c.pdf

测试报告.rar

2014/08/10 23:46:10
56
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长
你们公司也是做LED产品的?
2014/08/10 23:51:56
57
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长

是的,做LED相关应用产品的,

刚那个案子的产品我们是接LED这种灯,上图给你看下。

2014/08/11 00:08:38
58
qcbinkou
电源币:27 | 主题帖:0 | 回复帖:8
LV3
排长
资料里只有原理图。有PCB图吗?方便的话也一起提供下?
2014/08/11 08:13:22
59
飞翔2004
电源币:6371 | 主题帖:172 | 回复帖:709
LV9
军长
晚上回宿舍我找一下,到时再发上来给你。。
2015/07/08 12:48:31
61
南极的问候
电源币:155 | 主题帖:12 | 回复帖:171
LV5
营长
大多数的反激式开关电源都带有这种TVS吸收电路
2017/02/05 11:24:01
77
opingss88
电源币:42 | 主题帖:70 | 回复帖:253
LV7
旅长
RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量,而且也消耗变压器励磁能量
2017/02/05 19:31:03
82
k8882002
电源币:6 | 主题帖:43 | 回复帖:384
LV7
旅长
TVS吸收电路只能在小功率的反激电路中使用,常见到的还是RCD吸收电路。
2017/02/03 22:54:15
74
眼睛里的海
电源币:1301 | 主题帖:17 | 回复帖:177
LV6
团长
LED的技术方案可以参考一下LYTSwitch系列的芯片,这个系列是PI专门用在LED驱动上的芯片。不知楼主需要什么样的LED电源驱动方案。
2017/02/05 19:32:32
83
k8882002
电源币:6 | 主题帖:43 | 回复帖:384
LV7
旅长
我想做一个52V输出,恒流360ma的LED日光灯驱动方案,用哪个芯片比较合适,有推荐的吗?
2017/04/07 22:02:51
97
k_menlow
电源币:161 | 主题帖:26 | 回复帖:111
LV5
营长
LED的技术方案可以参考下PI的LYTSWITCH,这个系列主要是应用在LED驱动上。
2015/07/08 12:55:18
62
王成美业
电源币:108 | 主题帖:10 | 回复帖:97
LV4
连长
请教一下,设计吸收电路时,是不是一定要考虑截止频率呢,否则会出现一些问题。每次做吸收的时候,老师都让我算截止频率
2016/12/04 21:47:45
66
fordfiash
电源币:0 | 主题帖:64 | 回复帖:247
LV7
旅长
这个问题也一直困惑我,我觉得截止频率肯定要算的,做为参考也是必要的
2015/07/08 17:37:47
63
tom307
电源币:32 | 主题帖:16 | 回复帖:130
LV5
营长
RC吸收用途很广泛 以及衍生出来的RCD吸收等  在电源中非常常见  也非常有效
2017/02/05 11:21:49
76
opingss88
电源币:42 | 主题帖:70 | 回复帖:253
LV7
旅长
RCD吸收电路若开关断开,蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电,开关电压上升
2015/07/08 20:47:24
64
陌路绝途
电源币:118 | 主题帖:120 | 回复帖:532
LV8
师长
吸收电容也就等效地增加了开关的并联电容的容量,从而抑制开关断开的电压浪涌。
2016/12/05 08:37:34
67
亲爱的郭郭
电源币:2 | 主题帖:62 | 回复帖:349
LV8
师长
我用的最多的是电阻与电容外加二极管的方式来做吸收电路,其他的没有试过。
2016/12/07 13:01:21
68
x34242980
电源币:88 | 主题帖:45 | 回复帖:347
LV8
师长
RCD吸收电路是用的最多的,主要功能就是吸收掉MOSEF管上面的尖峰能量
2017/04/07 22:04:37
98
k_menlow
电源币:161 | 主题帖:26 | 回复帖:111
LV5
营长
如果功率小于2.5W可以不用RCD吸收电路,LINKSWITCH-TN2的小功率方案就不用这个吸收电路。
2017/01/07 16:44:58
71
亲爱的郭郭
电源币:2 | 主题帖:62 | 回复帖:349
LV8
师长
RCD吸收电路比较长用,也有用二极管和TVS来做吸收电路,两种电路效果度比较好。
2017/02/16 15:57:21
88
x34242980
电源币:88 | 主题帖:45 | 回复帖:347
LV8
师长
RCD吸收电路对过电压的抑制要好于RC吸收电路,RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位效果比RC好。
2017/02/17 16:03:22
89
LV8
师长
TOP switch器件上面的吸收电路不要太复杂,简单才是TOP的特色。
2017/04/20 19:27:01
128
亲爱的郭郭
电源币:2 | 主题帖:62 | 回复帖:349
LV8
师长
RC吸收网络是电阻Rs与电容Cs串联的一种电路并接在开关管上的连接电路。
2017/04/28 16:24:14
131
谢厚林[荣誉版主]
电源币:14 | 主题帖:42 | 回复帖:2913
LV12
元帅

TVS用作箝位只能在15W以下,多路输出在10W以下。TVS管最怕漏感。


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