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吸收电路是开关电源及各种电力电子电路安全运行必不可少的一种开关辅助电路,也是必不可少的电路。下面先来看看PI的tiny switch 跟TOP switch的吸收电路,为什么PI的tiny switch采用TVS吸收电路,而TOP switch采用RCD吸收电路?先上图,,
1.RC吸收电路
图1所示是一个RC吸收网络的电路图。它是电阻Rs与电容Cs串联的一种电路,同时与开关并联连接的结构。若开关断开,蓄积在寄生电感中的能量对开关的寄生电容充电的同时,也会通过吸收电阻对吸收电容充电。这样由于吸收电阻的作用,其阻抗将变大,那么,吸收电容也就等效地增加了开关的并联电容的容量,从而抑制开关断开的电压浪涌。而在开关接通时,吸收电容又通过开关放电,此时,其放电电流将被吸收电阻所限制。
如果没有RCD箝位电路,Llk 中的能量将会在开关管关断瞬间转移到开关管的漏源极间电容和电路中的其它杂散电容中,此时开关管的漏极将会承受较高的开关应力
合适的RC标准:当高压、重负载时,V(RCD)实际测量值等于理论值。
吸收电路是开关电源中必不可少的保护电路,RCD吸收电路能哼好的过抑制电压。
R的功率应根据V(RCD)的最大值所得,一般计算值的2倍。
电阻和电容并联,电容将消耗掉尖峰的高频,而尖峰的有一定宽度和能量的部分都由电阻消耗掉
比如电容器的寄生电感一般是由器件的电极和引线的残余电感引起的,其电感值不会随频率变化,但由电感引起的等效阻抗会随频率增加而增大
2.RCD吸收电路
它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成, 其中电阻Rs也可以与二极管VDs并联连接。若开关断开, 蓄积在寄生电感中的能量将通过开关的寄生电容充电, 开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时, 吸收二极管导通, 从而使开关电压被吸收二极管所钳位(约为1 V左右), 同时寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间,吸收电容则通过电阻放电。
不错的资料,我也上传一份RCD吸收电路的资料,希望对大家有帮助。
RCD吸收电路.doc
这资料里的图中的Vcmax怎么算的?
RCD吸收电路中的R值如果过小,就会降低开关电源的效率。如果R值如果过大,MOS管就存在着被击穿的危险。
看这个图更简单明了
反激电源的钳位电路主要是对由高频变压器漏感所形成的尖峰电压进行钳位和吸收,以防止MOSFET因过电压而损坏
3.LC吸收电路
LC吸收电路由Ls、Cs、VDs1和VDs2构成。若开关断开, 蓄积在漏磁或励磁等电感中的能量可通过VDs1经电容Cs放电, 使吸收电容Cs电压反向, 从而使变压器由电容电压消磁。这期间, 输入电压与吸收电容的电压加到开关上的电压极性再次反向。一般情况下, LC吸收电路不消耗能量.
正激不叫吸收电路,叫复位电路
上传一份资料让你参考下,
TVS参数及选型方法.pdf
选取的时候TVS的最大反向钳位电压VC应小于被保护电路的损坏电压;
还有稳态功率P0,极间电容Cj,峰值电流波形。最主要的是楼上说的那几个参数。
很早之前有用TYN274PN做的一款恒流产品,不知道对你有没有借鉴的价值?
输入电压:90-246V,频率工作在50/60HZ.
输出电压:4.3V,输出电流700MA.
Lp=1.2mh@132k
变压器的绕制方法也很关键的。
各个测试电压点所测得的待机功耗值
这个方案比较早的07年的方案了,测试出来的效率不是很高,满载的时候才60%左右,不够负载的功率太小,效率低一点也是很正常的。
4.5是测试满载时MOS管漏极的波形图,Input
4.6是电源启动时间Input=85V 100us/div*4=400us. Input=265V 100us/div*3.8=380us
这个电源EMI波形还是不错的。所以过EMI是没什么问题的
谢谢楼主的资料,资料挺全的。