原理很简单，论坛理由很多朋友也是这么做的，当然也有问题，功率MOS发热很严重，并联MOS并不是最好的方案，
因为电子负载是用它的线性部分，栅极电压对应的导通电流是各有差别的，而且很小的电压差就对应很大的导通电流差。
要均流好只有每个MOSFET用独立的运放和采样电阻。当然学生党只是暑假无聊自己在玩玩而已。
但遇到一个问题：
当上图中“蓝色字”处，即MOS的漏极与GND之间不并联大电容的时候，遇到以下情况：不串入电流表进行标定的时候，电流可以恒定，但一旦串入电流表，恒流值大幅度下降，电流达到一定程度开始抖动不稳定。DA的输入值也受到很大影响。
但当上树大电容串入的时候，虽然DA与预定值有一定的差值，但相差幅度很小，电流值可以稳定。
这里就是想问下，为什么加个大电容就能够稳定恒流值，且不受到电流表串入时候的影响。
以下为实物图片：（注意大电容）
