电子产品越越越要求小型化,重量轻,精度高,稳定性好,所以晶片电阻的在多种场合下使用,受多种情况的影响,电阻的耐冲击能力越来越受到重视,但是各电阻厂家无法在规格书内详细说明电阻的耐冲击情况,所以抛砖引玉,希望一起来讨论下晶片电阻的受电流冲击的承受能力.
当前晶片型的电阻主要分类为:厚膜普通晶片电阻,薄膜精密型晶片电阻,厚膜低阻值采样电阻,合金型晶片采样电阻.
先说前两类:厚膜型和薄膜型的耐冲击情况,两种由于制程上的差别,厚膜晶片电阻的功率一般要大些,能够承受大点的电流冲击,薄膜优点主要突出在精度高,温度系数低,耐冲击能力相比较会差些,但是实际能承受到多大的电流冲击,电阻的寿命是安全的,根据实验数据,电阻承受电流冲击的能力和脉冲宽度有关,一般说来脉冲时间如果是10毫秒以内,能承受的额定电流的2倍冲击,1毫秒以内,能承受4倍的额定电流冲击,50微秒以内,最大能承受8倍的电流冲击,10微秒以内最大能承受16倍的电流冲击.
希望有相关实验数据的同行一起来交流.
后两类电阻(厚膜低阻/合金低阻)耐冲击情况不一样,后续补上......
请大家指正
