ir2110 驱动irf540全桥逆变，驱动波形问题

ir2110 驱动irf540全桥逆变，低端输出波形比较正常，高端输出对地的电压波形比较大，vb和ho之间的波形还算正常，都有小的震荡

问题1.高端输出对地的波形是否正常，然后对地的波形电压值范围是和输出电压有关吧？

问题2：逆变电路上加的吸收电路是否有问题，然后能不能有吸收电路方面的资料。

非常感谢大家的解答。。

波形和电路图如下所示，波形从上而下为输出电压，ho对地的电压，lo对地的电压。

原理图

ho和bs之间的电压

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bianbowei

LV.3

2014-03-04 14:34

首先，我觉得测试高端MOS驱动不应该对地测量，MOS驱动应该测试GS引脚电平。

bianbowei

LV.3

2014-03-04 14:45

@bianbowei

首先，我觉得测试高端MOS驱动不应该对地测量，MOS驱动应该测试GS引脚电平。

另外，驱动波形中米勒平台处抖动过大，可以从减小自举电压供电阻抗入手，也就是把那两个电解电容中的一直换成1uF的CBB电容看看效果。还不满足要求的化，适当减小驱动电阻。若还不行，核实一下IRF540的驱动电荷要求，也许是211O推不动。

SYM_Fone

LV.2

2014-03-04 15:12

@bianbowei

首先，我觉得测试高端MOS驱动不应该对地测量，MOS驱动应该测试GS引脚电平。

谢谢回答，实际测量肯定是测试gs间的电压，只是仿真的时候看到ho对地的波形不正常，想了解下应该是如何的

bianbowei

LV.3

2014-03-04 16:04

@SYM_Fone

谢谢回答，实际测量肯定是测试gs间的电压，只是仿真的时候看到ho对地的波形不正常，想了解下应该是如何的

仿真与器件模型关系很大，初级阶段不太可能正确建立这些器件模型，可以不用纠结，以实测为准。

SYM_Fone

LV.2

2014-03-04 16:10

@bianbowei

仿真与器件模型关系很大，初级阶段不太可能正确建立这些器件模型，可以不用纠结，以实测为准。

恩，谢谢，搭个实物看看再说

SYM_Fone

LV.2

2014-03-04 16:26

@bianbowei

仿真与器件模型关系很大，初级阶段不太可能正确建立这些器件模型，可以不用纠结，以实测为准。

忘了，顺便请教下，逆变电路的输出波形不是很理想的方波，存在各种震荡，就如上图的波形图的波形，有什么办法可以消除么？

蓝血

LV.1

2014-05-05 16:44

@SYM_Fone

忘了，顺便请教下，逆变电路的输出波形不是很理想的方波，存在各种震荡，就如上图的波形图的波形，有什么办法可以消除么？

哎！…我的也是，之前是关断震荡，处理好之后现在是半桥打开有一两个尖刺，调高占空比整个半桥打开期间全是震荡

bianbowei

LV.3

2014-05-21 14:34

@SYM_Fone

忘了，顺便请教下，逆变电路的输出波形不是很理想的方波，存在各种震荡，就如上图的波形图的波形，有什么办法可以消除么？

方波逆变波形叠加正弦振荡是由于离散参数和设计参数中的LC震荡引起，建议先测量得到震荡频率，再分析可能会造成该频率震荡的振源。

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