请教一个问题，精通开关电源书籍上说：只增加匝数而没有增加电感体积自然是一个会产生灾难的方法。
如何去理解这句话的含义呢？（B=LI/NA，显然N变大，B减小，应该有好处啊）
关于磁芯安匝数的问题
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@快乐的天天向上
一个磁芯的抗饱和能力是固定的，其指标叫安匝数，即匝数与电流的乘积。而电流是拓扑决定的，增加匝数即增加磁芯的安匝数，使磁芯更接近饱和，如果磁芯的抗饱和安全余量本来就不大，增加匝数就很容易进入饱和，后果就是灾难性的。 这个不就是很好的解释吗？N变大,B也跟着变大,磁通也跟着变大，为了防止磁饱和，增大磁芯是必然结果。估计那位朋友，没有具体分析，N，B，L数量上的关系.
大致是这样，但是仔细追究起来还有其他因素：
1、多数情况下，L并不是完全与N的平方成正比，要小一点，小多少？查磁芯手册
2、增加N，导致L增加，一般情况下，L增加后电流I会略有降低，降多少？看你的电路了。
3、为防止饱和，增加磁芯体积并不是唯一的选择，增加气隙宽度也是一种选择。所以书上那句话也不完全正确。
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@ICEBOYZ
大致是这样，但是仔细追究起来还有其他因素：1、多数情况下，L并不是完全与N的平方成正比，要小一点，小多少？查磁芯手册2、增加N，导致L增加，一般情况下，L增加后电流I会略有降低，降多少？看你的电路了。3、为防止饱和，增加磁芯体积并不是唯一的选择，增加气隙宽度也是一种选择。所以书上那句话也不完全正确。
1. L不与N的平方成正比的原因, 跟磁芯的关系不大. 而是匝与匝之间的耦合度引起的; 无线电里, 通过拉长或压缩空芯线圈的长度, 调节匝间距, 电感量可以变化几倍;
2. I=Ton*V/L, 可知Ton一定，则I与L成反比，虽然Ton可一定程度上调宽，但是N增加2倍试试？
3. 增加气隙宽度，磁阻更小，更容易饱和
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@我只属于你
1.L不与N的平方成正比的原因,跟磁芯的关系不大.而是匝与匝之间的耦合度引起的;无线电里,通过拉长或压缩空芯线圈的长度,调节匝间距,电感量可以变化几倍;2.I=Ton*V/L,可知Ton一定，则I与L成反比，虽然Ton可一定程度上调宽，但是N增加2倍试试？3.增加气隙宽度，磁阻更小，更容易饱和
1、这里说的是磁芯，因为I是拓扑决定的，增加N即增加B，一般情况下，B的增加将会导致磁芯的有效导磁率μe的降低，这种情况在粉芯类磁芯上最为明显，铁氧体磁芯也有少量的降低，最终导致L不与N的平方成正比。
2、这里说的是L对拓扑的影响，与电路很有关系，如果L置于主拓扑，这个变化比较明显，如果L置于前后滤波，则影响甚微。
3、说反了吧？
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@ICEBOYZ
1、这里说的是磁芯，因为I是拓扑决定的，增加N即增加B，一般情况下，B的增加将会导致磁芯的有效导磁率μe的降低，这种情况在粉芯类磁芯上最为明显，铁氧体磁芯也有少量的降低，最终导致L不与N的平方成正比。2、这里说的是L对拓扑的影响，与电路很有关系，如果L置于主拓扑，这个变化比较明显，如果L置于前后滤波，则影响甚微。3、说反了吧？
1. 这一部份意见不同, 属于思维方面的差异. 我误认为你指的是线圈本身匝间耦合系数这个内因(这个具有统一性, 那怕在真空里也适用) ;
2. 即然不可一概而论, 那得指定个讨论的对象吧, 不然A扯东, B扯西, 贴子不乱才怪;
3. 没反, 磁阻与电阻相似, 对于均质材料, 正比与长度, 反比于截面积.
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