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IGBT驱动关断延迟较大

    小弟最近在测试一款基于Avago ACPL339J 的IGBT驱动,门极开通电阻为5欧姆,关断电阻为2.5欧姆,现发现门极波形关断时延迟较大,同时开通时波形也不是特别理想。求各位大神帮忙分析一下原因,小弟在此不甚感激!

 

 

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2014-01-15 21:07
IGBT的电流拖尾效应,这个很难达到理想
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2014-01-15 23:45
@rj44444
IGBT的电流拖尾效应,这个很难达到理想
IR 公司的开发重点在于减少IGBT 的拖尾效应,使其能快速关断,其研制的超快速IGBT 可最大限度地减小拖尾效应,关断时间不超过2000ns。采用特殊高能照射分层技术,关断时间不超过100ns,拖尾更短[1]。
IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的新型器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。
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zjsyjbb
LV.4
4
2014-01-16 07:25
IGBT这块没研究过的说,帮不了。
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shenx123
LV.10
5
2014-01-17 14:45
@SKY丶辉煌
IR公司的开发重点在于减少IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,其研制的超快速IGBT可最大限度地减小拖尾效应,关断时间不超过2000ns。采用特殊高能照射分层技术,关断时间不超过100ns,拖尾更短[1]。IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的新型器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。
RCD做的好,延迟的也大的
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陈海东
LV.1
6
2014-01-25 15:12
请提供您使用的IGBT型号 以及ACPL-339J的外围电路,avago的ACPL-339J是avago最新一代的隔离驱动光耦,最大的亮点是通过N&Pmosfet作为推挽可以直接驱动1000多个A的管子。芯片内部完成了这两个管子的关闭和开启的延时,同时也是第一次实现加了buffer 后可以实现软关断的方案(以前的316J&33X系列加了buffer后就阉割了保护后的软关断功能),但是外围电路调试比较麻烦!
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2014-01-25 15:18
@shenx123
RCD做的好,延迟的也大的
如果修改参数的话,有不同的波形
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2014-01-26 22:41
关断电阻减小。
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耿1973
LV.1
9
2018-06-05 10:03
@Constance
关断电阻减小。
关断电阻太小,必须大于开通电阻
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耿1973
LV.1
10
2018-06-05 10:04
关断电阻太小,必须大于开通电阻
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lidijia
LV.4
11
2018-12-05 06:46
@耿1973
关断电阻太小,必须大于开通电阻
增加关断电阻,关断延迟不就更大?
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