[独孤求顶]LLC为什么不能工作在容性区
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@gbfdyx
[图片]
条件：Q1关掉，然后Q2开通，红色箭头代表电流源
图1：在Q1关断以后，电流源总要有一个path去流电流，这时电流就走Q2的体二极管走，为Q2实现ZVS创造条件
图2：在Q1还没关断前，电流就已经反向了，那这个电流怎么流？这里还得强调一下，在最早提ZCS的时候，晶体管 的性能还非常落后，MOS的RDson很大，这时电流主要从Q1的体二极管走，所以Q1关断叫做ZCS 关断。现在由于mos管的性能不断地提升，其实这种ZCS关断的叫法已经不准确了，因为RDson很小，电流主要从 MOS流，而不是体二极管，这时候就不能叫做ZCS关断了，业界很多叫做ZVS关断
我们现在通常所说的软开关通常是指ZVS开通，ZCS关断
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@gbfdyx
条件：Q1关掉，然后Q2开通，红色箭头代表电流源图1：在Q1关断以后，电流源总要有一个path去流电流，这时电流就走Q2的体二极管走，为Q2实现ZVS创造条件图2：在Q1还没关断前，电流就已经反向了，那这个电流怎么流？这里还得强调一下，在最早提ZCS的时候，晶体管 的性能还非常落后，MOS的RDson很大，这时电流主要从Q1的体二极管走，所以Q1关断叫做ZCS关断。现在由于mos管的性能不断地提升，其实这种ZCS关断的叫法已经不准确了，因为RDson很小，电流主要从MOS流，而不是体二极管，这时候就不能叫做ZCS关断了，业界很多叫做ZVS关断我们现在通常所说的软开关通常是指ZVS开通，ZCS关断
那么上图中都能实现MOS ZVS我们倾向于选择哪一种呢，他们各有哪些优缺点呢
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@gbfdyx
图1,优点，Q2能实现ZVS，缺点：但Q1有很大的关断电流，功耗比较大图2，优点,Q1ZCS关断，但Q2有turnonloss当然这些都是次要的，关键的问题是图2有一个很严重的问题
问题是什么呢，我们分析一下，在Q1 关断后，电流源只能从Q1的体二极管流，这个时候突然开通Q2会有什么问题？
我们从右往左看，大家看出和什么拓扑比较像？
boost线路，电流源，mos，二极管。。。。。。
那么boost线路有什么问题，CCM模式的boost线路二极管会有一个反响恢复电流，影响效率，在图中的这个二极管何况还是MOS的寄生二极管，他的特性会非常差，反向恢复时间很长，这个时候开通Q2，Q2两端的电压为零，而二极管有反响恢复电流，相当于把输入短路了，所以图2不能选
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@peterchen0721
請教一下，如下圖所謂LLC容性區指的是左半平面操作區嗎(黃色小區)？還是其他區域？想要表達的想法是樓主所提圖二電流要達到如此流動是在什麼狀態下所產生，如果反應在線路上又是處於什麼工作曲線下？煩請提點下。(圖檔資料來自ST)[图片]
什么情况会跑到这个区域？》》》最低频率设置，如果设定的不合理，随着load的加重，就会跑到ZCS区域
跑到ZCS区域时，谐振回路体现的就是电容的特性，相位上电流超前电压，电流方向就会出现图2的方向
（图片出处，杨波博士论文）
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@gbfdyx
[图片]我指的是图中ZCS区域，即增益曲线上切线斜率大于0的区域。所谓容性，可能是我没说清楚，是指谐振回路的容感性。什么情况会跑到这个区域？》》》最低频率设置，如果设定的不合理，随着load的加重，就会跑到ZCS区域 跑到ZCS区域时，谐振回路体现的就是电容的特性，相位上电流超前电压，电流方向就会出现图2的方向（图片出处，杨波博士论文）
就我的經驗來說，圖上ZCS區域在實際線路上應該難以實現，基本上控制IC都有限制進入的機制，而且即使是線路調適階段強迫進入(應該也沒多少人知道如何進入)，也不會造成任何炸機(SR關閉情形下)，況且在LLC階段就已經有相同現象產生，所以花時間討論這一塊還是要小心避免觀念錯誤。提供參考。
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@gbfdyx
[图片]我指的是图中ZCS区域，即增益曲线上切线斜率大于0的区域。所谓容性，可能是我没说清楚，是指谐振回路的容感性。什么情况会跑到这个区域？》》》最低频率设置，如果设定的不合理，随着load的加重，就会跑到ZCS区域 跑到ZCS区域时，谐振回路体现的就是电容的特性，相位上电流超前电压，电流方向就会出现图2的方向（图片出处，杨波博士论文）
图2：在Q1还没关断前，电流就已经反向了
這一個假設基本上是矛盾，Q1導通時線路上最高電壓是Vin只會有電流流向諧振腔，除非SR動作造成BOOST效應，兩個電壓源並接才會發生圖二狀態，問題是調適電路時真的要如此笨一次嗎？有誰不知道要把SR線路斷開嗎？
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