MOS管损原因

驱动电流太大了

MOS 虽然是电平驱动的元件，但因为半导体工艺的问题，GS 间会存在电容 Qg，MOS 的导通是将 Qg 充至一定电荷以后，才会打开；关断也是将 Qg 放至一定电荷以后才会关断

强驱的结果，不是 MOS 坏，就是 PWM IC 坏；如果你有驱动级的话，多数是 MOS 坏

弱驱的结果，MOS 会经过一个很长的线性区，也会损坏

是真的吗？

谢谢。也就是说MOS管G端电阻太小，D.S端上升速率太快导致损坏对吧。但在实验中发现，在Gate端电阻上并联二极管开机也会出现损坏MOS的现象。也是这个道理吧，请指教。

基本上是这样， Gate 的 di/dt 上升或下降太快，都会造成损伤

就象电容充电一个原理，如果电流的变化率太大，就会造成电容损坏一样

谢谢。

IGmax

驱动电流取多大合适?或者怎么通过驱动波形判断是否全适?我在一款MOS的PDF资料上没看到有IGmax的参数.

MOSFET 是电压控制器件，如果驱动电阻比较小，MOSFET 受控能力减弱；G端驱动电阻有抑制GS 振荡的作用，如果GS振荡过大，VGSP-P超过额定值，GS击穿，MOSFET 失效;最好捉取VDS,VGS，IDS信号波形分析。

问个问题:减小电容充放电电流变化率一般采用什么手段?