变压器绕法瞬间相位讨论

第二种绕法，相位分析有点错误，现在改正一下如下图 

图中AF为VCC绕组；CD为屏蔽绕组，AD点接地，E点为二次侧地；

这种绕法觉得很有趣，在MOS管导通的时候，A点为零电位，B点为负电位，E为零电位F点为负电位，这样的话，电流方向就是A-B和E-F这样的话就互相抵消；

不过B点相对C点有80V的电压，因为E-D两端都是零电位所以，会不会B-C的电位也只能是在屏蔽和次级绕组之间循环，而不会跑出来啊；

还有就是，觉得应该是屏蔽绕组反绕比较好；那样的话，BC电压差就很少了

兄弟，NE1102 NE1106应该还算熟悉；

如果说变压器绕法的绝密资料；

后续新能微应该会给你们这种变压器的专利技术，有兴趣可以研究一下；

抑制EMI共模干扰，轻而易举；

NE1102之前的时候一直在使用，现在还在用，

你们的FAE也有说，你们有专门研究变压器和电路的实验室和人。

我们不能和你们比啊，没有仪器又没人。

如果理论上和实际一样的话，那么以后做无Y的和正常的产品，对策辐射都不用再去一个一个变压器绕着试了，这也是蛮好的；

之前的时候每一个产品，变压器都要绕7-8各有的时候绕10几个，测试辐射总是要测试好几次，

关键是开发周期会很长；虽然说辐射传导不一定都是变压器的问题，不过变压器确实是产品的核心部件。

楼主的变压器画法中，加入了分布电容，更进一步体现了分布的特征，值得借鉴学习，如果能将漏感也以结构化的方式表示出来，将对EMX和漏感的相关设计和分析十分有益。最近开始忙了，有时间仔细想想。

“三明治绕法，初级包次级，次级包初级，双层屏蔽，多层屏蔽，还有正绕反绕，Z子绕法，迂回绕法；那么多变压器的绕法”——

大家都下不少功夫在这里，能否说说
1、仅对变压器而言，要解决的关键两个问题是什么？（目标和工作方向）
2、仅以一个部件角度，如何简便测评变压器相关指标？（验证设计手段）

1.曾电容要小，这样的话，在MOS导通的时候，就又很小的尖峰，大家可以看一看是不是在限流电阻上的三角波电压，开始的时候有一个干扰，那就是MOS结电容和变压器层间电容引起，高电压的时候容易造成产品不启动。

2.变压器绕的好坏以及参数好坏直接影响传导，辐射，启动，二次侧尖峰，一次侧尖峰，效率。发热量；

关键参数，漏感，这个直接影响到你二次侧吸收以及一次侧吸收，还有效率，

主感量：这个决定你变压器的Bm值，选择合适的话，能达到磁损，和铁损平衡，还能决定你的效率好坏；

Y电压（这个一般比较保密，先说出来吧）：Y电压的高低，直接影响到你辐射好坏，如果想做无Y的产品，Y电压小雨10V是有必要的，

其实匝比，主感量，漏感，这个决定效率，要过6级就要在这方面做优化；

Y电压决定你产品干扰好坏，要想过辐射传导，就要把变压器瞬间相位弄明白。

团长大人，你好，你所说的应该是把静电（冷点）和动点（热点）分开了，看了半天，才发现。最好的绕法就是把地都放在变压器的一边，应该是这个意思吧

还有就是我们一般把屏蔽的地放在初级VCC的地上，你这个图有点意思是放在次级地，难道放在次级地上更好？

求真相！

呵呵，这个是比较保密的东西啊，不过有的东西就是因为保密才导致，技术停留不前；

Y电压，和功率也有关系，不过我觉得重要的还是变压器的绕法吧。

Y电压是横跨一二次侧高频，低频，还有很多共模，差模，共存的很杂乱的一个电压；而一二次侧的AC DC线就好比发射天线，输出线规定要1m。那么也就是说60-100m是比较有效的发射频段，

Y电压越高发射功率就会越大，这个也只是推论而已；

按照以上的推论加大Y电容就会使Y电压减小，应该辐射也会成比例减小，可是实际情况却不是这样子，有点不解，

所以应该是除了变压器Y电压，发出的辐射应该还有别的地方也有辐射，

如果以上结论都是对的，那么是不是就可以说：短路一二次侧之后，Y电压等于零，那么这样子就能忽略变压器的影响，就能确定出来，其他元件发出的辐射了。

以上有点乱，

欢迎大家多发言，

，想Y电压是干扰信号双向传输的结果。

这不是在玩积木、搞排列组合吗？网上流传的变压器“绝密”专利技术不会这么简单吧！

也觉得应该简单，就是没找到好的方式表达这个原理，赞同你说的，都是宝贵经验。

电磁加速器？是啥玩意啊，我之前的时候用了一个10万伏的一个直流电压，做了一个离子风扇，就是直接用电压加速空气，

你的电磁加速器是不是小号的电磁炮啊