各位前辈，后生业余高频感应加热，在逆变拓扑结构与功率管的选型上很纠结：
1、单端E类频率可以做得比较高，但功率上不去，若使用全桥拓扑，很纠结MOS寄生二极管的Trr。
2、目标是做1MHz,功率为25KW的机器，用于高频钎焊（焊接厚度为1mm，直径为20mm的铜管或铝管）。
3、控制部分与驱动目前已经基本完成，并且已实现动态死区。
4、1MHz电流与电压相位的采集已经完成，实测相位传输延迟为18ns。
5、不用变压器做阻抗匹配，因为这会损耗大量的无功功率（目前市场上的号称5KW的高频机似乎只能加热小铁片效率实际上很低）。
6、自己是做嵌入式出身的，所以控制部分用CPLD+ARM来做。
目前的主要问题是：在逆变拓扑结构与功率管的选型上很纠结！！！！！
望各位前辈不吝赐教，谢谢谢谢！！！！！
