oB2263 做5V2.4A 90V加外壳带满载老化，温度超高直到带不起载。

小弟最近在搞一款5V2.4A 的案子。PCB尺寸为47*26mm,

由于体积的限制选用EE19的变压器。磁芯材质PC40

变压器的咋比为：134：9：26 电感量为1.7mH

MOS为仙童5N60 ，

肖特基为20L45超低VF值的，封装为TO-220的外加小散热片。

IC频率为65KHZ

裸机烧机没有任何问题，带外壳的时候，230V和115V都正常，就低压90V/60HZ的时候长时间带满载，温度超高，直到带不起。

小弟在此发帖希望各路电源前辈能够献出良策，怎样可以降低低压的带载的温度。谢谢！

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ymyangyong

2013-09-01 12:47

看低压输入时哪个元件温度高，再针对处理。

姚小星

LV.2

2013-09-04 20:54

@ymyangyong

看低压输入时哪个元件温度高，再针对处理。

在ＭＯＳ管上已经加了散热片，还是带不了２.４Ａ，　２.３Ａ已经可以带起来没有多大问题了，因为空间只有那么大，不能够再加大散热片了。

手边没有ＰＣ４４材质的磁芯，想试试不知道会不会好？

kcfoo1

LV.5

2013-09-04 21:24

@姚小星

在ＭＯＳ管上已经加了散热片，还是带不了２.４Ａ，　２.３Ａ已经可以带起来没有多大问题了，因为空间只有那么大，不能够再加大散热片了。手边没有ＰＣ４４材质的磁芯，想试试不知道会不会好？

主要发热是肖特基整流，灌胶试下

老梁头

LV.10

2013-09-04 21:26

@kcfoo1

主要发热是肖特基整流，灌胶试下

还是得测下哪的温度最高，现在效率多高···

姚小星

LV.2

2013-09-05 20:44

@老梁头

还是得测下哪的温度最高，现在效率多高···

现在换三明治绕发，90V测试平均效率74%，230V测试为76%.

老钟电源IC

LV.11

2013-09-05 21:19

@姚小星

现在换三明治绕发，90V测试平均效率74%，230V测试为76%.

这效率太低了,肖特基也是好东西啊105:8:24 电感量1.3MH

Φ 0.30mm X1

52T

密绕2层

2TS

Φ 0.75mm X1

8TS

密绕一层

2TS

Φ 0.15mm X1

24TS

密绕一层

2TS

Φ 0.30mm X1

密绕一层

2TS

君临自我

LV.4

2013-09-10 17:23

兄弟，这么小体积的充电器怎么不用贴片元件呢

wj_12691495

LV.8

2013-09-11 10:52

@君临自我

兄弟，这么小体积的充电器怎么不用贴片元件呢

解决了没有

aczg01987

LV.10

2013-09-11 11:31

可以把工作频率提高点看看

xjq001

LV.1

2013-09-11 15:42

你这款12W的电源不一定要用OB2263的方案啊,我这有集成功率管的12W电源方案,有兴趣可与我联系,如果一定要用2263我这还有与这款兼容的IC方案.

姚小星

LV.2

2013-09-11 17:36

@wj_12691495

解决了没有

换了另一家的IC试了下，90V低电压的效率高出2个多点，现在在烧机，可以带的起了！

姚小星

LV.2

2013-09-11 17:39

@君临自我

兄弟，这么小体积的充电器怎么不用贴片元件呢

以前试了10L45的贴片，温度很高，直接挂了肖特基。

姚小星

LV.2

2013-09-11 17:41

@老钟电源IC

这效率太低了,肖特基也是好东西啊105:8:24电感量1.3MHΦ 0.30mm X152T密绕2层2TSΦ 0.75mm X18TS密绕一层2TSΦ 0.15mm X124TS密绕一层2TSΦ 0.30mm X153TS密绕一层2TS

这个咋比不错，改天我有时间要试试。谢谢啊。

易春梅2

LV.2

2013-09-11 20:15

调整变压器参数，使变压器的磁损和铁损接近一致，整机效率提高！

君临自我

LV.4

2013-09-13 08:54

@姚小星

以前试了10L45的贴片，温度很高，直接挂了肖特基。

你2.4A输出，用10A的贴片肖特基当然温升高了。

一般都是用20A的

niufenlan

LV.3

2013-12-05 19:32

刚接个案子，5v2.1a，准备用ob2263，用epc17变压器，mos用4n60，看了你这个帖子，心里有点发毛啊

jfbo

LV.4

2013-12-06 08:19

@niufenlan

[图片]刚接个案子，5v2.1a，准备用ob2263，用epc17变压器，mos用4n60，看了你这个帖子，心里有点发毛啊

外置MOS用起来一点都不好，占空间，而且MOS质量不好，还不怎么安全。

GTGZ

LV.4

2013-12-06 14:25

EF20的变压器，2N60的MOS，两个5V45的肖特基；

芯片NE1102；

即使带1.8米18号线，高低压平均效率81%；板端平均效率82%以上；完全能实现能效6级；

你使用EE19的变压器，20L45的变压器，效率74%；

这个电源是怎么做的？

QQ403920015

LV.6

2013-12-06 14:46

做无Y电容的也不止这个效率....

isotop

LV.4

2013-12-06 15:59

@GTGZ

EF20的变压器，2N60的MOS，两个5V45的肖特基；芯片NE1102；即使带1.8米18号线，高低压平均效率81%；板端平均效率82%以上；完全能实现能效6级；你使用EE19的变压器，20L45的变压器，效率74%；这个电源是怎么做的？

有测试板吗？体积多大？上个图片也行。

电子工程师007

LV.4

2013-12-11 16:20

@niufenlan

[图片]刚接个案子，5v2.1a，准备用ob2263，用epc17变压器，mos用4n60，看了你这个帖子，心里有点发毛啊

应该要用夹心绕，再提高频率！

dxsmail

2013-12-12 14:45

@姚小星

现在换三明治绕发，90V测试平均效率74%，230V测试为76%.

效率做得有点低。。。应该可以改进。。。

kaoloo

LV.7

2013-12-12 16:10

直接用内置MOSFET的IC就可以了，空间自然就好点，可靠性也会高点的。

kaoloo

LV.7

2013-12-12 16:11

我公司是IC的原厂，可以提供内置MOSFET的方案。

xg0725

LV.5

2015-09-25 17:28

@kaoloo

我公司是IC的原厂，可以提供内置MOSFET的方案。