半桥驱动boot trap的二极管串联电阻烧毁

可以试试适当加大电阻功率，或者换个反向特性比较软些的二极管

加电阻实际上是未来照顾一些反向特性比较“硬”的二极管来设计的，范围一般5-30R都是可以的，如果选用合适的二极管也可以不用加电阻，直接把电阻短路起来也是可以的

另外我不知道你半桥母线电压是多少，你用这个400V的二极管有没有足够的余量，也许这也是造成电阻烧坏的原因，二极管上的反向电压近视等于母线电压

还有你说加大电阻，上管的驱动电压会随着DC升高而减小，这应该是一个不正常的现象，不知道你说的DC是母线电压还是IC的电源，上管VGS电压只与IC的VCC和IC输入端的的驱动信号占空比有关，是不是你的半桥输入在母线电压升高的时候，环路控制驱动信号PWM脉宽非常小，所以导致VGS下降，这时候把电阻加大确实是一个不安全的设计

谢谢米老鼠的解答！

我实际用的是S1J-E3/5AT这款二极管，他的击穿电压是600伏，我的母线电压最高是400V。我不知道他的反向特性是否足够软。

我说的上管的驱动电压随着DC升高而减小，是母线的电压。我测试的是全桥LLC电路，占空比在弱50%。我测试的时候是120kHz的频率，对应的下管开通时间是4.16微秒，应该足以把boot trap 电容充满。

如果我用50欧的电阻，如果母线电压为0的时候，上官驱动电压正常，但是母线电压增高的话，这个驱动电压就退化。

如果我用10欧的电阻，母线电压增高的话，上管驱动电压不存在这个问题。

是因为我的硬件有什么问题吗？

这里是我用的600V二极管的参数。