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请问各位师傅，24V 升压到150V 2A，直接一级boost可以做到吗？

如题，请问各位师傅，24V 升压到150V 2A，直接一级boost可以做到吗？

还有就是 如果用单管igbt做开关管，igbt的驱动电压要不要考虑负压关断，想驱动电路简单一点，直接PWM驱动行不行？

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rj44444
2
2013-08-02 17:48

这个用boost肯定可以，升压比确实比较大，驱动要做好，用mos管应该就可以了，不需要igbt吧，igbt的话，频率太低，电感会很大

更好的办法是用推挽

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123sky
LV.2
3
2013-08-02 17:54
@rj44444
这个用boost肯定可以，升压比确实比较大，驱动要做好，用mos管应该就可以了，不需要igbt吧，igbt的话，频率太低，电感会很大更好的办法是用推挽

可以的，mos管就能做到

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whutheyi
LV.3
4
2013-08-02 18:37
@rj44444
这个用boost肯定可以，升压比确实比较大，驱动要做好，用mos管应该就可以了，不需要igbt吧，igbt的话，频率太低，电感会很大更好的办法是用推挽
主要是没有做过推挽的电源，以前老师说推挽 电流连续和不连续 系统的模型不一样，不好做反馈环，有这样的问题吗？
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zhenxiang
LV.10
5
2013-08-02 22:36
@whutheyi
主要是没有做过推挽的电源，以前老师说推挽电流连续和不连续系统的模型不一样，不好做反馈环，有这样的问题吗？
不行。升压比这么高 计算过要多少的占空比吗  你用的PWM信号能给到多大。驱动和MOS的延时时间有多少
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123sky
LV.2
6
2013-08-03 09:37
@zhenxiang
不行。升压比这么高计算过要多少的占空比吗 你用的PWM信号能给到多大。驱动和MOS的延时时间有多少

按他要求理论占空比0.84，考虑非线性等因素应该要更高一点，如果给的pwm能>0.95，频率稍低点，一般mos管延时是ns级的，还是有希望实现的吧？

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rj44444
7
2013-08-03 10:24
@123sky
按他要求理论占空比0.84，考虑非线性等因素应该要更高一点，如果给的pwm能>0.95，频率稍低点，一般mos管延时是ns级的，还是有希望实现的吧？
这个升压比还是没问题的，频率取得适当就行，不过电感电流很大，到最后电感估计比推挽变压器还大
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whutheyi
LV.3
8
2013-08-03 11:24
@123sky
按他要求理论占空比0.84，考虑非线性等因素应该要更高一点，如果给的pwm能>0.95，频率稍低点，一般mos管延时是ns级的，还是有希望实现的吧？

准备用494做控制IC的，不知道行不行，我也算了一下，这个占空比确实有点大


各位大师都觉得推挽好做一点额，如果输出电压做成100V到150V可调的话，电路的反馈有没有什么问题，用431能不能做到？

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ymyangyong
9
2013-08-03 23:04
@whutheyi
准备用494做控制IC的，不知道行不行，我也算了一下，这个占空比确实有点大各位大师都觉得推挽好做一点额，如果输出电压做成100V到150V可调的话，电路的反馈有没有什么问题，用431能不能做到？
用494做成不隔离的推挽，就没必要用431了。
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whutheyi
LV.3
10
2013-08-04 00:03
@ymyangyong
用494做成不隔离的推挽，就没必要用431了。
恩，正准备采用这种方式，谢谢首长
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gamejifan
LV.2
11
2013-08-04 02:18

请问各问首长，如果我使用两级BOOST串联，采用一个IC同时驱动两级的两个MOS管，然后第一级因为电流大，使用小电感不顾及纹波，最后再LC滤波会有什么不足吗？

好处在于在大电流处使用了小电感（第一级BOOST），在小电流时使用了稍大的电感，总得来说会不会磁性材料用得体积更小？


学生问个问题。。。望各位解答。

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