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谈谈 RCD 的计算结果为何与实验参数出入很大

不时有网友提到 RCD 的计算问题。有关 RCD 的计算和实验的帖子在坛子里也很有人气。

其中老梁头关于反激RCD的实验 中的介绍很详实,是很有价值的一手实验数据。读过帖子之后,给人感觉好像自己亲手做了个实验,受益匪浅。然而,帖子中计算的 RCD 数值和实验得到的参数并不一样(老梁在帖子中的计算过程正确、结果有误)。相信很多网友都有这样的体会 - 就是计算出的电阻 Rsn 比实际实验得到的数值要小很多。大家有没有兴趣讨论一下 ~   

 (本图摘自Fairchild AN-4147) 

下面介绍一下本人在实验过程中发现的 3个原因 ~

1. 漏感测量的误差大 - 由于仪器和测试的问题导致漏感测量的误差可以很大(尤其是体积小变压器),通常是测得的漏感偏大。导致计算结果的不准确(电阻偏小)。

2. RCD计算公式中忽略了二极管Dsn的正向导通延迟时间和开关损耗,假设所有漏感引起的功耗都消耗在了电阻 Rsn 上,使得计算出的电阻数值偏小。

3. 计算公式忽略了漏感对 MOS管输出电容 Coss 的充电,而这一部分的能量是不能忽略不计的。

 

一些有关 RCD 参数计算的资料供大家参考 ~

AN-4147_Fairchild反激RCD设计 

AN1680-D_RCD design (ON Semi) 

Flyback Converter Snubber Design 

反激式变换器中RCD箝位电路的设计  

技术博文分享——RCD钳位电路

Flyback Converter and snubber Design - Bodo 

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mko145
LV.8
2
2013-07-27 13:12

有关 RCD 的计算公式在网上可以找到不少,大致的算法都差不多。其中 Fairchild 的 AN-4147 比较具有代表性。老梁头 在帖子中的计算也是采用与 fairchild 相同的公式。对于RCD的计算公式,相信很多网友都很熟悉。在此不再重复。

上面提到老梁头 在帖子中的计算结果有误,在这重新算一下。

 

Vsn = 110V;  Vor = 40V;  Ipk = 4.2A;  Llk = 2.79uH;  fs = 50KHz;    根据公式

得出 Rsn = 6.2K  

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mko145
LV.8
3
2013-07-27 14:31

老梁头关于反激RCD的实验 中,实验得到的数值是 Rsn = 30K 时,可以做到 Vsn = 110V。与用公式计算的结果 6.2K 相差甚远 ~

 (图片摘自老梁头的帖子关于反激RCD的实验

上面只计算了电阻 Rsn 的数值,而没有算 Csn。是因为实际上电容的角色在这个线路中并不重要,本身也并不吸收(消耗)能量。只要数值取稍大一点就行了,对 Vsn 和 Rsn的大小也没有什么影响。有些网友在实验的时候,一会儿改电容 Csn,一会儿改电阻 Rsn,是对线路的理解不太够。

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mko145
LV.8
4
2013-07-27 16:25

看到有网友不太清楚 Rsn 计算公式的推导,顺便在这儿推导一下 ~

   

  

1. 当MOS管关断时,初级电流达到了最大值 Ipeak。电压Vds 迅速上升至A点,漏感 Llk上的能量开始对Csn冲电。
2. Csn上的电压在整个过程中几乎不变,其大小是Vsn。
3. 由于此时次级的整流管已经导通,次级圈上的电压被钳制到输出电压 Vo。反射电压 Vor (或者写成 nVo) 在初级建立。
4. 漏感对 Csn 放电时,漏感上的电压被钳制到 Vsn - Vor。
5. 漏感上的电流变化为

 

6. 在漏感对Csn充电的过程 ts 中,漏感两端的电压始终是 Vsn - Vor。
7. 充电电流 isn 由初始值 Ipeak 一路线性下降到 0,此时漏感上的能量全部释放掉了。

 

8. 由于电流 isn 的变化是线性的,可以用几何的方法计算出 Csn 在一个周期里充电的总能量是

 

 9. RCD 线路消耗的功率是

 得到下面的公式

   

 

10. 假设 Csn 在放电的过程中,两端电压变化不大,其值为Vsn。则Rsn近似为

 

 

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liangong
LV.2
5
2013-07-27 17:02
@mko145
看到有网友不太清楚Rsn计算公式的推导,顺便在这儿推导一下~ [图片]  [图片]  1.当MOS管关断时,初级电流达到了最大值Ipeak。电压Vds迅速上升至A点,漏感Llk上的能量开始对Csn冲电。2.Csn上的电压在整个过程中几乎不变,其大小是Vsn。3.由于此时次级的整流管已经导通,次级圈上的电压被钳制到输出电压Vo。反射电压Vor(或者写成nVo)在初级建立。4.漏感对Csn放电时,漏感上的电压被钳制到Vsn-Vor。5.漏感上的电流变化为[图片] 6.在漏感对Csn充电的过程ts中,漏感两端的电压始终是Vsn-Vor。7.充电电流isn由初始值Ipeak一路线性下降到0,此时漏感上的能量全部释放掉了。[图片] 8.由于电流isn的变化是线性的,可以用几何的方法计算出Csn在一个周期里充电的总能量是[图片]  9.RCD线路消耗的功率是[图片]由[图片] 得到下面的公式[图片]    10.假设Csn在放电的过程中,两端电压变化不大,其值为Vsn。则Rsn近似为[图片]  
我顶,顶到你爽。
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liangong
LV.2
6
2013-07-27 17:05
@liangong
我顶,顶到你爽。[图片]
非常感谢楼主的讲解!
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2013-07-27 18:54
@mko145
看到有网友不太清楚Rsn计算公式的推导,顺便在这儿推导一下~ [图片]  [图片]  1.当MOS管关断时,初级电流达到了最大值Ipeak。电压Vds迅速上升至A点,漏感Llk上的能量开始对Csn冲电。2.Csn上的电压在整个过程中几乎不变,其大小是Vsn。3.由于此时次级的整流管已经导通,次级圈上的电压被钳制到输出电压Vo。反射电压Vor(或者写成nVo)在初级建立。4.漏感对Csn放电时,漏感上的电压被钳制到Vsn-Vor。5.漏感上的电流变化为[图片] 6.在漏感对Csn充电的过程ts中,漏感两端的电压始终是Vsn-Vor。7.充电电流isn由初始值Ipeak一路线性下降到0,此时漏感上的能量全部释放掉了。[图片] 8.由于电流isn的变化是线性的,可以用几何的方法计算出Csn在一个周期里充电的总能量是[图片]  9.RCD线路消耗的功率是[图片]由[图片] 得到下面的公式[图片]    10.假设Csn在放电的过程中,两端电压变化不大,其值为Vsn。则Rsn近似为[图片]  

好贴,先顶再看!

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2013-07-27 19:03
@mko145
看到有网友不太清楚Rsn计算公式的推导,顺便在这儿推导一下~ [图片]  [图片]  1.当MOS管关断时,初级电流达到了最大值Ipeak。电压Vds迅速上升至A点,漏感Llk上的能量开始对Csn冲电。2.Csn上的电压在整个过程中几乎不变,其大小是Vsn。3.由于此时次级的整流管已经导通,次级圈上的电压被钳制到输出电压Vo。反射电压Vor(或者写成nVo)在初级建立。4.漏感对Csn放电时,漏感上的电压被钳制到Vsn-Vor。5.漏感上的电流变化为[图片] 6.在漏感对Csn充电的过程ts中,漏感两端的电压始终是Vsn-Vor。7.充电电流isn由初始值Ipeak一路线性下降到0,此时漏感上的能量全部释放掉了。[图片] 8.由于电流isn的变化是线性的,可以用几何的方法计算出Csn在一个周期里充电的总能量是[图片]  9.RCD线路消耗的功率是[图片]由[图片] 得到下面的公式[图片]    10.假设Csn在放电的过程中,两端电压变化不大,其值为Vsn。则Rsn近似为[图片]  
看完再顶
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2013-07-27 19:06
@mko145
看到有网友不太清楚Rsn计算公式的推导,顺便在这儿推导一下~ [图片]  [图片]  1.当MOS管关断时,初级电流达到了最大值Ipeak。电压Vds迅速上升至A点,漏感Llk上的能量开始对Csn冲电。2.Csn上的电压在整个过程中几乎不变,其大小是Vsn。3.由于此时次级的整流管已经导通,次级圈上的电压被钳制到输出电压Vo。反射电压Vor(或者写成nVo)在初级建立。4.漏感对Csn放电时,漏感上的电压被钳制到Vsn-Vor。5.漏感上的电流变化为[图片] 6.在漏感对Csn充电的过程ts中,漏感两端的电压始终是Vsn-Vor。7.充电电流isn由初始值Ipeak一路线性下降到0,此时漏感上的能量全部释放掉了。[图片] 8.由于电流isn的变化是线性的,可以用几何的方法计算出Csn在一个周期里充电的总能量是[图片]  9.RCD线路消耗的功率是[图片]由[图片] 得到下面的公式[图片]    10.假设Csn在放电的过程中,两端电压变化不大,其值为Vsn。则Rsn近似为[图片]  
请问版主,在实际计算的时候,LIK 怎么确定呢??要先做报变压器测出来吗?
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mko145
LV.8
10
2013-07-27 21:58
@在路上.
请问版主,在实际计算的时候,LIK怎么确定呢??要先做报变压器测出来吗?

是的。这也是我们下面要继续讨论的 ~

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mko145
LV.8
11
2013-07-27 23:43

 下面言归正传,讨论一下那些因素导致 RCD 计算的结果和实际的数值差别很大。

(一)漏感

我们在 老梁头 的例子中看到,计算的电阻值与实际得到的参数相差有几倍之多。如果相差百分之五十,那么在工程设计中还是有参考价值的。但是差出几倍的话,可以说计算的意义已经不大了。fairchild 的公式推导中,做了一些近似,而且把所有的元件都当成是理想元件。这其中不可避免的会引入一些误差。但本人在实验中发现这些还不是最主要的原因,影响最大的是漏感测量的误差造成的。

经常听到一些网友讲 - 测到的变压器漏感很大,尤其是小变压器。有的达到10%,还有人讲大到100% 的。shirizheng 有个帖子  漏感比感量还大!! 。看标题就知道内容了。 我们知道初级线圈的漏感是 MOSFET 两端尖峰产生来源,漏感的大小直接影响到 RCD 吸收线路的参数。如果漏感多出几倍,那么Rsn的数值也肯定会差很远。 所以漏感的准确测量是非常重要的。有人(包括某些专家)说变压器的漏感通常在1-5%之间,所以可以估计个数值,用来计算 RCD。个人觉得这种说法不太靠谱  ~  如果实际的漏感是 5%,而你用 2% 去计算。结果不是要差出两倍吗

为什么小个子的变压器的漏感测出来会很大呢? 其原因是变压器的每个绕组都有铜线内阻R存在。变压器越小,圈数越多,铜线上的电阻也就越大。 而测试电感的 RCL Meter在测试的时候并不知道有铜线内阻的存在,而是把线圈当做纯电感来测量。 我这里把变压器线圈简单的等效成一个电感与一个电阻的串联 (实际的等效电路要复杂很多)

正常的情况下,圈数越多铜线内阻越大,电感量也越大。电感的感抗比内阻大的多,所以铜线的内阻对电感的测量影响不大。 但测漏感的时候情况就不一样了。这时候漏感只有线圈感量的 1 - 5%,而铜线内阻还是那么大。对于小变压器来说,铜线的电阻甚至比漏感的感抗还要大。测出的漏感的误差就可想而知了 ~

下面看一个实际的例子:

 一个EE16的反激变压器, 初级绕了一、二百圈。感量3.0mH, 铜线内阻 3.3 Ω。 下面的表格显示了在不同频率下,初级绕组感抗 Zl 与铜线内阻的对比。可以看出当测试频率高于 1KHz 时,初级绕组的感抗都要比内阻大很多 。所以电感的测量误差很小。

    

假设漏感是初级感量的 3%,也就是90uH,再看看漏感感量和铜线内阻的对照。不难发现当频率在10KHz的时候,感抗比铜线内阻也大不了几倍。这时候测量出的漏感还是有较大的误差。

  

我们通常用的 RCL 测试仪, 有的测试频率能够达到 10KHz 或更高。也有的测试仪频率只有120Hz 和 1kHz 两种,我手上的巧好是后者。用 1KHz测量这个EE16变压器的漏感是 267uH,也就是差不多 9% 的初级感量。问过变压器的供应商,被告知如果用10KHz的频率测量,漏感大概是5-6% 的样子。各位的经验差不多是这样吧 ~

如果用120Hz的频率来测,漏感能有多少呢? 实测的漏感有 80%还多。看来 shirizheng 测出的比感量还要大的漏感,应该是用120Hz的频率测的 ~

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mko145
LV.8
12
2013-07-28 10:48

由上面的表格中,我们可以看出 RCL 仪器测试频率和漏感的测量误差之间存在的关系。在测量漏感的时候,(在低频范围内)频率越高相对的误差会越小。但即使用10KHz的频率,也还是有较大的误差。然而,很多时候我们手上的仪器有限,不一定能提供更高的频率。那只有考虑其他的办法了 ~

下面介绍一下我在实验中采用的漏感测试方法 - LC 谐振的方法。

LC 谐振的电路大家都很熟悉,一个电感和一个电容,串联或是并联的线路。在某一频率会产生谐振,此时的振幅最大。利用这个线路,在已知电容容值的情况下,找到谐振的频率。进而可以计算出电感的数值。

 

如上图,左边用信号源提供正弦波信号,在电感的两端(包括了串联的铜线内阻)用示波器观察信号的幅度。并记录下幅度最高时的输入频率 f 。

上面例子中的 EE16反激变压器,测得的初级漏感的谐振频率是 f = 169KHz。线路中的电容值实际测得是 C= 9.83nF 。 这个LC谐振电路的谐振频率表达式如下:

  

由于 CR2/L 部分很小,可以忽略不计。频率的公式可以简化为:

 

计算出变压器的初级漏感 Llk = 90uH, 相当于 3% 的初级电感。 这个数值比用 RCL 测试仪在 1KHz 频率时测得的 9% 的漏感要小 3 倍,也比用 10KHz 频率测得的 5-6% 的漏感要小很多 ~

由此可见 - 漏感测量的误差可以很大,由此而计算出的 RCD 参数其准确性也会大打折扣。

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chenyankun
LV.8
13
2013-07-28 11:30
@mko145
由上面的表格中,我们可以看出RCL仪器测试频率和漏感的测量误差之间存在的关系。在测量漏感的时候,(在低频范围内)频率越高相对的误差会越小。但即使用10KHz的频率,也还是有较大的误差。然而,很多时候我们手上的仪器有限,不一定能提供更高的频率。那只有考虑其他的办法了~下面介绍一下我在实验中采用的漏感测试方法-LC谐振的方法。LC谐振的电路大家都很熟悉,一个电感和一个电容,串联或是并联的线路。在某一频率会产生谐振,此时的振幅最大。利用这个线路,在已知电容容值的情况下,找到谐振的频率。进而可以计算出电感的数值。[图片] 如上图,左边用信号源提供正弦波信号,在电感的两端(包括了串联的铜线内阻)用示波器观察信号的幅度。并记录下幅度最高时的输入频率f。上面例子中的EE16反激变压器,测得的初级漏感的谐振频率是f=169KHz。线路中的电容值实际测得是C=9.83nF。这个LC谐振电路的谐振频率表达式如下:[图片]  由于CR2/L部分很小,可以忽略不计。频率的公式可以简化为:[图片] 计算出变压器的初级漏感Llk=90uH,相当于3%的初级电感。这个数值比用RCL测试仪在1KHz频率时测得的9%的漏感要小3倍,也比用10KHz频率测得的5-6%的漏感要小很多~由此可见-漏感测量的误差可以很大,由此而计算出的RCD参数其准确性也会大打折扣。
旅长你好,这论题写不错!这里有个疑问想请你帮忙解答一下,你在上面写了这个一句话“在测量漏感的时候,频率越高相对的误差会越小。但即使用10KHz的频率,也还是有较大的误差”,我们平时测漏感的时候的测试频率不是应该跟工作频率差不多?假如我工作频率就1K,你用100K频率测试测出来的漏感很小,那意义大吗?
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mko145
LV.8
14
2013-07-28 12:04
@chenyankun
旅长你好,这论题写不错!这里有个疑问想请你帮忙解答一下,你在上面写了这个一句话“在测量漏感的时候,频率越高相对的误差会越小。但即使用10KHz的频率,也还是有较大的误差”,我们平时测漏感的时候的测试频率不是应该跟工作频率差不多?假如我工作频率就1K,你用100K频率测试测出来的漏感很小,那意义大吗?

漏感本身是客观存在的,其大小(在低频范围)并不随测试频率的变化而变化,也不随使用时的工作频率而变化。只不过由于仪器的问题,在不同频率下,测出漏感的误差不同。

这样解释不知道你同不同意 ~

1
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mko145
LV.8
15
2013-07-28 12:19

对上面测试的 LC 谐振的频率,我用线路模拟验证了一下。结果吻合的很好 ~

 

   

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在路上.
LV.6
16
2013-07-28 14:46
@mko145
 下面言归正传,讨论一下那些因素导致RCD计算的结果和实际的数值差别很大。(一)漏感我们在老梁头的例子中看到,计算的电阻值与实际得到的参数相差有几倍之多。如果相差百分之五十,那么在工程设计中还是有参考价值的。但是差出几倍的话,可以说计算的意义已经不大了。fairchild的公式推导中,做了一些近似,而且把所有的元件都当成是理想元件。这其中不可避免的会引入一些误差。但本人在实验中发现这些还不是最主要的原因,影响最大的是漏感测量的误差造成的。经常听到一些网友讲-测到的变压器漏感很大,尤其是小变压器。有的达到10%,还有人讲大到100%的。shirizheng 有个帖子 漏感比感量还大!!。看标题就知道内容了。我们知道初级线圈的漏感是MOSFET两端尖峰产生来源,漏感的大小直接影响到RCD吸收线路的参数。如果漏感多出几倍,那么Rsn的数值也肯定会差很远。所以漏感的准确测量是非常重要的。有人(包括某些专家)说变压器的漏感通常在1-5%之间,所以可以估计个数值,用来计算RCD。个人觉得这种说法不太靠谱 ~ 如果实际的漏感是5%,而你用2%去计算。结果不是要差出两倍吗为什么小个子的变压器的漏感测出来会很大呢? 其原因是变压器的每个绕组都有铜线内阻R存在。变压器越小,圈数越多,铜线上的电阻也就越大。而测试电感的RCLMeter在测试的时候并不知道有铜线内阻的存在,而是把线圈当做纯电感来测量。我这里把变压器线圈简单的等效成一个电感与一个电阻的串联(实际的等效电路要复杂很多)[图片]正常的情况下,圈数越多铜线内阻越大,电感量也越大。电感的感抗比内阻大的多,所以铜线的内阻对电感的测量影响不大。但测漏感的时候情况就不一样了。这时候漏感只有线圈感量的1-5%,而铜线内阻还是那么大。对于小变压器来说,铜线的电阻甚至比漏感的感抗还要大。测出的漏感的误差就可想而知了~下面看一个实际的例子: 一个EE16的反激变压器,初级绕了一、二百圈。感量3.0mH,铜线内阻3.3Ω。下面的表格显示了在不同频率下,初级绕组感抗Zl与铜线内阻的对比。可以看出当测试频率高于1KHz时,初级绕组的感抗都要比内阻大很多。所以电感的测量误差很小。   [图片] 假设漏感是初级感量的3%,也就是90uH,再看看漏感感量和铜线内阻的对照。不难发现当频率在10KHz的时候,感抗比铜线内阻也大不了几倍。这时候测量出的漏感还是有较大的误差。[图片]  我们通常用的RCL测试仪,有的测试频率能够达到10KHz或更高。也有的测试仪频率只有120Hz和1kHz两种,我手上的巧好是后者。用1KHz测量这个EE16变压器的漏感是267uH,也就是差不多9%的初级感量。问过变压器的供应商,被告知如果用10KHz的频率测量,漏感大概是5-6%的样子。各位的经验差不多是这样吧~如果用120Hz的频率来测,漏感能有多少呢?实测的漏感有80%还多。看来shirizheng 测出的比感量还要大的漏感,应该是用120Hz的频率测的~
在选择电桥测试的时候,是不是选择最接近开关频率的档位来测试电感比较合理?
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bigbigeasy
LV.6
17
2013-07-28 14:46
@chenyankun
旅长你好,这论题写不错!这里有个疑问想请你帮忙解答一下,你在上面写了这个一句话“在测量漏感的时候,频率越高相对的误差会越小。但即使用10KHz的频率,也还是有较大的误差”,我们平时测漏感的时候的测试频率不是应该跟工作频率差不多?假如我工作频率就1K,你用100K频率测试测出来的漏感很小,那意义大吗?
漏感起作用的频率都是很高的 一般都大于100k
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mko145
LV.8
18
2013-07-28 16:32
@在路上.
在选择电桥测试的时候,是不是选择最接近开关频率的档位来测试电感比较合理?

通常电感的铜线内阻相对较小,那么在低频的范围(比如说100KHz以下),测试频率的影响似乎不是很大。 但测量漏感,由于漏感的感抗相对于铜线内阻不是很大,频率高应该相对会准一些(虽然你的开关频率可能很低)~

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mko145
LV.8
19
2013-07-28 16:38

如果减小了漏感的误差,那么RCD计算的数值是否与实验参数接近了呢?,我们下面做个实验来验证一下 ~

一个反激电源工作在DCM模式;  变压器 PQ3230:
初级电感 Lp = 205uH;  
初级漏感 Llk = 5.5uH (@ 1KHz);  用LC谐振的方法测得: Llk = 2.1uH
开关频率 fs = 76KHz
初级电流 Ipeak = 3.13A   (输出 12.4V / 5A)
钳位电压 Vsn = 210V
反射电压 Vor = 85V ; Vin = 140V
根据 fairchild 的公式

得到由漏感而引起的功率损耗是 Psn = 1.32W; 理论上这些能量都消耗在 Rsn上,由公式

计算出 Rsn= 33K

 

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在路上.
LV.6
20
2013-07-29 09:17
@mko145
通常电感的铜线内阻相对较小,那么在低频的范围(比如说100KHz以下),测试频率的影响似乎不是很大。但测量漏感,由于漏感的感抗相对于铜线内阻不是很大,频率高应该相对会准一些(虽然你的开关频率可能很低)~
谢谢!
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mko145
LV.8
21
2013-07-29 09:44

实验得到的RCD参数是: Dsn = UF4007;  Csn = 0.01uF/1KV;  Rsn = 39K / 3W

与计算出的电阻 Rsn 的 33K 相差的不多。 如果计算出的数值能如此地接近实验的结果,那么已经是很不错了。

 

但是仔细观察一下各处的波形,发现事情还没有那么简单 ~

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mko145
LV.8
22
2013-07-29 10:11

 

下图中黄色为A点波形;蓝色为B点波形

 

放大一点看 ~

 

再放大一点 ~

 

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mko145
LV.8
23
2013-07-29 11:19

(二)二极管 Dsn

fairchild 的 RCD计算公式是基于一个假设的前提 -- 二极管 Dsn 是理想的元件,像一个开关。本身没有开关时间、没有压降。所以的能量都消耗在 Rsn上。而实际上的二极管的开关速度(就算是UF4007)还是不够快,正向导通有个延迟时间。由图中可以看出在漏感开始给 Csn充电的时间,UF4007上面的电压有几十V。有电压、又有电流,那么肯定会有功耗。Dsn关断的时候也有延迟,Csn 经 UF4007 又放了些电。这其间同样也有功耗。

由上贴图中看出电阻 Rsn上的实际电压并不是 Vsn 210V,而是只有132V~ 146V。计算出电阻上的实际功耗大约只有0.5W左右,不是公式算出来的1.32W

 

实验的结果显示 - 公式计算出的 Rsn 虽然与实际参数接近,但并非是因为计算公式的准确。只能算作是巧合。相反, 计算出的 Rsn 上的功耗与实际出很大 ~

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mko145
LV.8
24
2013-07-29 17:02

上贴提到二极管 UF4007 有功率消耗。但具体功耗是多少,很难准确的计算或测量。 只能根据其发热的情况,大致地估计一下。为了方便测量,把二极管 UF4007 和 Rsn 39K 搬到板子的背面。

 

然后用红外测温仪记录一下电阻和二极管上的温度

 

凭元件上的温度来估计功耗肯定是不会很准的,但也没有想出什么更好的办法。 3W 电阻上的功率损耗是0.5W、温度74.3C, 而个子小一半的二极管上的温度是66.1C。估计UF4007上的功耗大致有0.2~0.25W吧 ~

由实验看出 - 由于RCD 吸收线路中的二极管不是理想元件,本身有一定的损耗。这是RCD 公式计算误差大的另一个原因(导致计算出的电阻阻值偏小) ~

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chenyankun
LV.8
25
2013-07-29 21:20
@mko145
漏感本身是客观存在的,其大小(在低频范围)并不随测试频率的变化而变化,也不随使用时的工作频率而变化。只不过由于仪器的问题,在不同频率下,测出漏感的误差不同。这样解释不知道你同不同意~
我同意!我也知道楼主的LC的测试方法很好,但是觉得这方法不太好用,还是直接用LCR测试仪方便,就是问测试漏感的时候用多少频率测试比较好,我们这里的LCR测试仪是可以设置频率的
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老梁头
LV.10
26
2013-07-29 22:05
@mko145
上贴提到二极管UF4007有功率消耗。但具体功耗是多少,很难准确的计算或测量。只能根据其发热的情况,大致地估计一下。为了方便测量,把二极管UF4007和Rsn39K搬到板子的背面。[图片] 然后用红外测温仪记录一下电阻和二极管上的温度[图片] 凭元件上的温度来估计功耗肯定是不会很准的,但也没有想出什么更好的办法。3W电阻上的功率损耗是0.5W、温度74.3C,而个子小一半的二极管上的温度是66.1C。估计UF4007上的功耗大致有0.2~0.25W吧~由实验看出-由于RCD吸收线路中的二极管不是理想元件,本身有一定的损耗。这是RCD公式计算误差大的另一个原因(导致计算出的电阻阻值偏小)~
好贴,楼主继续···
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mko145
LV.8
27
2013-07-29 23:52
@老梁头
好贴,楼主继续···

帖子有点长,读下来需要有点儿耐心 ~

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mko145
LV.8
28
2013-07-30 00:02
@chenyankun
我同意!我也知道楼主的LC的测试方法很好,但是觉得这方法不太好用,还是直接用LCR测试仪方便,就是问测试漏感的时候用多少频率测试比较好,我们这里的LCR测试仪是可以设置频率的

手上没有可以调频率的测试仪,没有试过。只能给你点儿建议 ~

从10KHz开始一路调高频率,直到测得的漏感数值不再有太大变化。这时测出的漏感误差应该不是很大了。

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づ龍づ
LV.4
29
2013-07-30 01:07
@mko145
帖子有点长,读下来需要有点儿耐心~
好贴
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2013-07-30 09:22
@mko145
上贴提到二极管UF4007有功率消耗。但具体功耗是多少,很难准确的计算或测量。只能根据其发热的情况,大致地估计一下。为了方便测量,把二极管UF4007和Rsn39K搬到板子的背面。[图片] 然后用红外测温仪记录一下电阻和二极管上的温度[图片] 凭元件上的温度来估计功耗肯定是不会很准的,但也没有想出什么更好的办法。3W电阻上的功率损耗是0.5W、温度74.3C,而个子小一半的二极管上的温度是66.1C。估计UF4007上的功耗大致有0.2~0.25W吧~由实验看出-由于RCD吸收线路中的二极管不是理想元件,本身有一定的损耗。这是RCD公式计算误差大的另一个原因(导致计算出的电阻阻值偏小)~

mark....

偶没事也钻了下这个东东,和楼主的好象也有那么一点点不同,等有足够时间做个验证,再贴出来把大伙儿搞的晕头转向才行

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mko145
LV.8
31
2013-07-30 09:38
@qinzutaim
mark....偶没事也钻了下这个东东,和楼主的好象也有那么一点点不同,等有足够时间做个验证,再贴出来把大伙儿搞的晕头转向才行[图片]

期待中 .........      

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