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全桥硬开关死区时间里出现高低平台是什么原因呢?

全桥硬开关,mosfet使用的是irfp460,变压器次级全波整流输出,整流二极管使用MBR30200,负载较轻时其中一个下管的驱动和DS波形如下:

 

开关管关断后和下一次开通前的死区时间里,VDS基本是等于直流母线电压一半,但随着负载加重,波形变为:

 

现在的问题是在死区时间里出现震荡,并且右边的平台明显低于左边,两个平台都随负载电流加大往下移动,在MOSFET的ds并联RC会有一定改善,但无法根治,在论坛里搜索了下,好像有人遇到,用“阴阳肩”来描述,但没有搜索到具体原因。请各位前辈们指教出现这个现象的原因。

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2013-07-11 15:53

mos管DS端寄生电容不匹配吧,可以试试在MOS管DS端并联一个小电容,比如1nF。

如果没有其它影响的话可以不用管它。

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2013-07-11 16:05

你这个驱动能力似乎不足哟。

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icefall
LV.2
4
2013-07-11 16:43
@新月GG
mos管DS端寄生电容不匹配吧,可以试试在MOS管DS端并联一个小电容,比如1nF。如果没有其它影响的话可以不用管它。

试过在每个管子的ds并联681电容,偏差仍然存在,输出电流加大到额定电流的一半时下移的平台接近0V,上移的接近直流母线电压了,不敢继续加了。

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icefall
LV.2
5
2013-07-11 16:55
@davit_zhang
你这个驱动能力似乎不足哟。

从哪里看出来驱动能力不足呢,这是驱动的电路图。

 

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2013-07-11 17:01
@icefall
试过在每个管子的ds并联681电容,偏差仍然存在,输出电流加大到额定电流的一半时下移的平台接近0V,上移的接近直流母线电压了,不敢继续加了。

个人觉得应该不影响,可以继续加到满载。因为在死区,4个开关管都关断。

或者加到半载,工作一端时间,测试下MOS管的温升,看是否有异常。如果没有异常,就继续加到满载。

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贴片机
LV.8
7
2013-07-13 20:09
是这样的,可以继续加载...
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2019-04-04 09:06
我也遇到这样情况,也不知道啥原因。
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2019-06-22 00:24
是不是驱动电压低了
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