关于NMOS下拉电阻和PMOS上拉电阻位置的问题

在可靠性设计中，经常需要NMOS和PMOS的栅极分别加下拉电阻和上拉电阻，但是由于存在栅极驱动电阻，想和各位讨论一下，上下拉电阻式放在驱动电阻的外侧好还是内侧好呢？如图所示

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LV.5

2013-04-14 23:32

个人觉得应该放在驱动电阻的内侧，因为它可防止在驱动电阻开路时MOS 栅极浮接。

LV.10

2013-04-15 08:13

@resin

个人觉得应该放在驱动电阻的内侧，因为它可防止在驱动电阻开路时MOS栅极浮接。

LV.1

2013-04-15 12:35

必须接在内侧好啊，这个起到放电作用，又叫放电电阻

2013-04-15 15:13

放内侧好,因为放外侧的话,只要两个电阻中的一个开路了,MOS就容易损坏.

LV.1

2013-04-17 19:42

@sometimes

放内侧好,因为放外侧的话,只要两个电阻中的一个开路了,MOS就容易损坏.

放外侧时，为什么NMOS的下拉电阻或者PMOS的上拉电阻开路，MOS容易损坏？

LV.10

2013-04-17 20:30

@milan111

放外侧时，为什么NMOS的下拉电阻或者PMOS的上拉电阻开路，MOS容易损坏？

MOS管G极悬空时很容易受到干扰，然后导通，有可能会产生很大的电流，MOS管在这个电流下很容易因过流过热而损坏。

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