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RCC難點分析

:在Q2进入饱和状态后,正反馈绕组上的感应电压对C5充电,随着C5充电的不
断进行,其两端电位差升高.于是Q2以导通回路被切断,使Q2退出饱和状态:.以上為網友的解釋,本人很不理解(針對管子的截至)大家能不能給我解釋一下或說的明白些,謝謝500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/50/1170750397.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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bin883583
LV.4
2
2007-02-07 09:57
難道沒人知道嘛>>  這個帖子好多人都過呵,請發表一下意見
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ydzz
LV.5
3
2007-02-07 20:30
@bin883583
難道沒人知道嘛>>  這個帖子好多人都過呵,請發表一下意見
看你这么想知道,我讲一下:
假设这里Q2是一个三极管,在通电的瞬间,Q2因有偏压而微导通,绕组12便有电流流过(从1到2),根据愣茨定律有(后面也按愣茨定律来分析感生电势方向,在此我不详谈)一感生电流要阻碍其电流增大,感生电流只有从2到1才能阻碍,感生电势是1正2负,耦合到34绕组,同名端原理,3正4负,C5由于两端压降不可突变,仍为0,可看作短路,34电势一下子到了Q2的基极,Q2导通加深,12电流增大,34电势上升,基极电位上升,形成一个正反馈,Q2进入饱和.这个时间很短.
此图上画的是一个CMOS,通电后没有上面讲的正反馈,在34电势第一次到栅极时Q2便已饱和了,假若没有限流电阻R8(这个电阻器也可让上升沿或下降沿不致过陡减小EMI),栅极电压Vg=V3-Vc5(此时Vc5=0).Q2饱和后,虽导通电流不再增加,但12绕组在贮能,励磁电流仍在增加,34电势仍存在,便通过Q2的结电容(三极管是发射结)或其它回路对C5充电,C5两端电荷聚集便有压降,左负右正,V3不变,Vc5上升了,Vg当然会下降,当降到一定程度时,Q2要退出饱和进入线性区(CMOS也可这样比喻),12电流要减小,有一感生电流要阻碍其减小,这一感生电流要与其同向才可阻碍其减小,感生电势1负2正,耦合到34绕组3负4正,这一电势与先前电容端压降(左负右正)成串联叠加,Vg很负使Q2一下子截止.
Q2截止后此时有两个动作,一是绕组12向外吐能量,二是绕组此时磁链变化很小或没变化,根据愣茨定律无交变的磁链不会产生感生电势,34绕组就像一根导线,将C5的电放掉为下一次的导通作准备,这里有个二极管D4,它有双重作用,一是可以让Q2上升沿或下降沿较陡减小开关损耗,可把C5看作加速电容,二是当34绕组对C5放电较慢时,D4可将其迅速放完,所以很多电路没有这个二极管.
电容电放完后,端压降又回到0,Vg由高压电阻(图中示画出)供电又进入到下一个过程.
以上是最基本的分析,RCC电路有多种形式,每一种回路分析都不一样,但都是振铃原理和愣茨定律或法拉第定律.
如果一个完整的电路要结合分析是比较复杂的,不要认为很简单,要设计好要花一定功夫,和FLYBACK电路是有很多不同地方的.
网上虽有不少人分析过RCC,但对如何截止分析的都较模糊.
希望对你有点帮助.
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2007-02-08 16:03
@ydzz
看你这么想知道,我讲一下:假设这里Q2是一个三极管,在通电的瞬间,Q2因有偏压而微导通,绕组12便有电流流过(从1到2),根据愣茨定律有(后面也按愣茨定律来分析感生电势方向,在此我不详谈)一感生电流要阻碍其电流增大,感生电流只有从2到1才能阻碍,感生电势是1正2负,耦合到34绕组,同名端原理,3正4负,C5由于两端压降不可突变,仍为0,可看作短路,34电势一下子到了Q2的基极,Q2导通加深,12电流增大,34电势上升,基极电位上升,形成一个正反馈,Q2进入饱和.这个时间很短.此图上画的是一个CMOS,通电后没有上面讲的正反馈,在34电势第一次到栅极时Q2便已饱和了,假若没有限流电阻R8(这个电阻器也可让上升沿或下降沿不致过陡减小EMI),栅极电压Vg=V3-Vc5(此时Vc5=0).Q2饱和后,虽导通电流不再增加,但12绕组在贮能,励磁电流仍在增加,34电势仍存在,便通过Q2的结电容(三极管是发射结)或其它回路对C5充电,C5两端电荷聚集便有压降,左负右正,V3不变,Vc5上升了,Vg当然会下降,当降到一定程度时,Q2要退出饱和进入线性区(CMOS也可这样比喻),12电流要减小,有一感生电流要阻碍其减小,这一感生电流要与其同向才可阻碍其减小,感生电势1负2正,耦合到34绕组3负4正,这一电势与先前电容端压降(左负右正)成串联叠加,Vg很负使Q2一下子截止.Q2截止后此时有两个动作,一是绕组12向外吐能量,二是绕组此时磁链变化很小或没变化,根据愣茨定律无交变的磁链不会产生感生电势,34绕组就像一根导线,将C5的电放掉为下一次的导通作准备,这里有个二极管D4,它有双重作用,一是可以让Q2上升沿或下降沿较陡减小开关损耗,可把C5看作加速电容,二是当34绕组对C5放电较慢时,D4可将其迅速放完,所以很多电路没有这个二极管.电容电放完后,端压降又回到0,Vg由高压电阻(图中示画出)供电又进入到下一个过程.以上是最基本的分析,RCC电路有多种形式,每一种回路分析都不一样,但都是振铃原理和愣茨定律或法拉第定律.如果一个完整的电路要结合分析是比较复杂的,不要认为很简单,要设计好要花一定功夫,和FLYBACK电路是有很多不同地方的.网上虽有不少人分析过RCC,但对如何截止分析的都较模糊.希望对你有点帮助.
ydzz是rcc高手,以後請多多指教!
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hjp21cn
LV.5
5
2007-02-09 23:51
@ydzz
看你这么想知道,我讲一下:假设这里Q2是一个三极管,在通电的瞬间,Q2因有偏压而微导通,绕组12便有电流流过(从1到2),根据愣茨定律有(后面也按愣茨定律来分析感生电势方向,在此我不详谈)一感生电流要阻碍其电流增大,感生电流只有从2到1才能阻碍,感生电势是1正2负,耦合到34绕组,同名端原理,3正4负,C5由于两端压降不可突变,仍为0,可看作短路,34电势一下子到了Q2的基极,Q2导通加深,12电流增大,34电势上升,基极电位上升,形成一个正反馈,Q2进入饱和.这个时间很短.此图上画的是一个CMOS,通电后没有上面讲的正反馈,在34电势第一次到栅极时Q2便已饱和了,假若没有限流电阻R8(这个电阻器也可让上升沿或下降沿不致过陡减小EMI),栅极电压Vg=V3-Vc5(此时Vc5=0).Q2饱和后,虽导通电流不再增加,但12绕组在贮能,励磁电流仍在增加,34电势仍存在,便通过Q2的结电容(三极管是发射结)或其它回路对C5充电,C5两端电荷聚集便有压降,左负右正,V3不变,Vc5上升了,Vg当然会下降,当降到一定程度时,Q2要退出饱和进入线性区(CMOS也可这样比喻),12电流要减小,有一感生电流要阻碍其减小,这一感生电流要与其同向才可阻碍其减小,感生电势1负2正,耦合到34绕组3负4正,这一电势与先前电容端压降(左负右正)成串联叠加,Vg很负使Q2一下子截止.Q2截止后此时有两个动作,一是绕组12向外吐能量,二是绕组此时磁链变化很小或没变化,根据愣茨定律无交变的磁链不会产生感生电势,34绕组就像一根导线,将C5的电放掉为下一次的导通作准备,这里有个二极管D4,它有双重作用,一是可以让Q2上升沿或下降沿较陡减小开关损耗,可把C5看作加速电容,二是当34绕组对C5放电较慢时,D4可将其迅速放完,所以很多电路没有这个二极管.电容电放完后,端压降又回到0,Vg由高压电阻(图中示画出)供电又进入到下一个过程.以上是最基本的分析,RCC电路有多种形式,每一种回路分析都不一样,但都是振铃原理和愣茨定律或法拉第定律.如果一个完整的电路要结合分析是比较复杂的,不要认为很简单,要设计好要花一定功夫,和FLYBACK电路是有很多不同地方的.网上虽有不少人分析过RCC,但对如何截止分析的都较模糊.希望对你有点帮助.
很好,做个记号.
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sbxksb
LV.4
6
2007-02-10 15:30
@ydzz
看你这么想知道,我讲一下:假设这里Q2是一个三极管,在通电的瞬间,Q2因有偏压而微导通,绕组12便有电流流过(从1到2),根据愣茨定律有(后面也按愣茨定律来分析感生电势方向,在此我不详谈)一感生电流要阻碍其电流增大,感生电流只有从2到1才能阻碍,感生电势是1正2负,耦合到34绕组,同名端原理,3正4负,C5由于两端压降不可突变,仍为0,可看作短路,34电势一下子到了Q2的基极,Q2导通加深,12电流增大,34电势上升,基极电位上升,形成一个正反馈,Q2进入饱和.这个时间很短.此图上画的是一个CMOS,通电后没有上面讲的正反馈,在34电势第一次到栅极时Q2便已饱和了,假若没有限流电阻R8(这个电阻器也可让上升沿或下降沿不致过陡减小EMI),栅极电压Vg=V3-Vc5(此时Vc5=0).Q2饱和后,虽导通电流不再增加,但12绕组在贮能,励磁电流仍在增加,34电势仍存在,便通过Q2的结电容(三极管是发射结)或其它回路对C5充电,C5两端电荷聚集便有压降,左负右正,V3不变,Vc5上升了,Vg当然会下降,当降到一定程度时,Q2要退出饱和进入线性区(CMOS也可这样比喻),12电流要减小,有一感生电流要阻碍其减小,这一感生电流要与其同向才可阻碍其减小,感生电势1负2正,耦合到34绕组3负4正,这一电势与先前电容端压降(左负右正)成串联叠加,Vg很负使Q2一下子截止.Q2截止后此时有两个动作,一是绕组12向外吐能量,二是绕组此时磁链变化很小或没变化,根据愣茨定律无交变的磁链不会产生感生电势,34绕组就像一根导线,将C5的电放掉为下一次的导通作准备,这里有个二极管D4,它有双重作用,一是可以让Q2上升沿或下降沿较陡减小开关损耗,可把C5看作加速电容,二是当34绕组对C5放电较慢时,D4可将其迅速放完,所以很多电路没有这个二极管.电容电放完后,端压降又回到0,Vg由高压电阻(图中示画出)供电又进入到下一个过程.以上是最基本的分析,RCC电路有多种形式,每一种回路分析都不一样,但都是振铃原理和愣茨定律或法拉第定律.如果一个完整的电路要结合分析是比较复杂的,不要认为很简单,要设计好要花一定功夫,和FLYBACK电路是有很多不同地方的.网上虽有不少人分析过RCC,但对如何截止分析的都较模糊.希望对你有点帮助.
我对你的分析有不同看见.你在这里把C5看成定时电容,决定振荡频率.其实振荡频率是由IC=*IB决定,当IC=*IB时,IC不会再增加,在34线组上的感生电动势减少,VG减少,IC减少,进一步使VG减少,使开关管迅速截止,当次级放电完毕,由于分布电容放电,在此34线组上产一正电压,使开关管再次导通,来完成振荡.
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sbxksb
LV.4
7
2007-02-10 15:40
@sbxksb
我对你的分析有不同看见.你在这里把C5看成定时电容,决定振荡频率.其实振荡频率是由IC=*IB决定,当IC=*IB时,IC不会再增加,在34线组上的感生电动势减少,VG减少,IC减少,进一步使VG减少,使开关管迅速截止,当次级放电完毕,由于分布电容放电,在此34线组上产一正电压,使开关管再次导通,来完成振荡.
补充一下,C5与D4并联,当C5被充电到0.5V时,D4导通,为开关管提供电压或电流.
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ydzz
LV.5
8
2007-02-10 16:05
@sbxksb
我对你的分析有不同看见.你在这里把C5看成定时电容,决定振荡频率.其实振荡频率是由IC=*IB决定,当IC=*IB时,IC不会再增加,在34线组上的感生电动势减少,VG减少,IC减少,进一步使VG减少,使开关管迅速截止,当次级放电完毕,由于分布电容放电,在此34线组上产一正电压,使开关管再次导通,来完成振荡.
你的分析我认为是错误的,如果开关管是三极管,你说的部分尚能过得去,对你说的分布电容放电,我从没听说过,有一种RCC电路,它的放电回路是很少有人能分析出来,它是对电源放电.
上面是一局部图,我只是分析了一个部分,C5当然会决定振荡频率,但不是说你在这里把C5看成定时电容,当负载变化的时候或输入电压变化的时候,在完整的电路图里C5放电的快慢让之提前进入饱和或截止,这时所表现出来的频率就不同,如果一个完整的电路图要全部分析出来要写一篇长篇大论.
RCC对磁理论和应用电子要求比较高,在2005年前有的大公司还专门招几个工程师研究RCC,在内地,台达的RCC是比较好的.
我对RCC有一定的研究,但越研究我发现越来越不懂,主要是建立模型得不到高人指点,它的模有时比反激正激等要复杂得多,像日本人做的RCC很好,是因为建模时分析的很周到.
内地人往往认为RCC很简单,都能说个大概,但作出来的产品总是不稳定.
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ydzz
LV.5
9
2007-02-10 16:16
@sbxksb
补充一下,C5与D4并联,当C5被充电到0.5V时,D4导通,为开关管提供电压或电流.
建个模你会发现这个D4不是你说的这么简单,你说的只是一个部分.
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bin883583
LV.4
10
2007-02-10 18:37
@ydzz
你的分析我认为是错误的,如果开关管是三极管,你说的部分尚能过得去,对你说的分布电容放电,我从没听说过,有一种RCC电路,它的放电回路是很少有人能分析出来,它是对电源放电.上面是一局部图,我只是分析了一个部分,C5当然会决定振荡频率,但不是说你在这里把C5看成定时电容,当负载变化的时候或输入电压变化的时候,在完整的电路图里C5放电的快慢让之提前进入饱和或截止,这时所表现出来的频率就不同,如果一个完整的电路图要全部分析出来要写一篇长篇大论.RCC对磁理论和应用电子要求比较高,在2005年前有的大公司还专门招几个工程师研究RCC,在内地,台达的RCC是比较好的.我对RCC有一定的研究,但越研究我发现越来越不懂,主要是建立模型得不到高人指点,它的模有时比反激正激等要复杂得多,像日本人做的RCC很好,是因为建模时分析的很周到.内地人往往认为RCC很简单,都能说个大概,但作出来的产品总是不稳定.
支持ydzz: 的说法
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sbxksb
LV.4
11
2007-02-14 12:02
@ydzz
你的分析我认为是错误的,如果开关管是三极管,你说的部分尚能过得去,对你说的分布电容放电,我从没听说过,有一种RCC电路,它的放电回路是很少有人能分析出来,它是对电源放电.上面是一局部图,我只是分析了一个部分,C5当然会决定振荡频率,但不是说你在这里把C5看成定时电容,当负载变化的时候或输入电压变化的时候,在完整的电路图里C5放电的快慢让之提前进入饱和或截止,这时所表现出来的频率就不同,如果一个完整的电路图要全部分析出来要写一篇长篇大论.RCC对磁理论和应用电子要求比较高,在2005年前有的大公司还专门招几个工程师研究RCC,在内地,台达的RCC是比较好的.我对RCC有一定的研究,但越研究我发现越来越不懂,主要是建立模型得不到高人指点,它的模有时比反激正激等要复杂得多,像日本人做的RCC很好,是因为建模时分析的很周到.内地人往往认为RCC很简单,都能说个大概,但作出来的产品总是不稳定.
在电源界,你是前辈,你的说法也很传统,我以前也这么认为,现在改变看法了.我认为,C5在电路中的作用是起加速作用,它对频率起不了多大作用,它旁边不是还并联了一二极管吗,在它充电到0.7V时被二极管旁路,为三极管提供基极电流.分布电容是电路中客观存在的.RCC中频率主要是由初次电感量决定.
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sbxksb
LV.4
12
2007-02-14 12:33
@ydzz
看你这么想知道,我讲一下:假设这里Q2是一个三极管,在通电的瞬间,Q2因有偏压而微导通,绕组12便有电流流过(从1到2),根据愣茨定律有(后面也按愣茨定律来分析感生电势方向,在此我不详谈)一感生电流要阻碍其电流增大,感生电流只有从2到1才能阻碍,感生电势是1正2负,耦合到34绕组,同名端原理,3正4负,C5由于两端压降不可突变,仍为0,可看作短路,34电势一下子到了Q2的基极,Q2导通加深,12电流增大,34电势上升,基极电位上升,形成一个正反馈,Q2进入饱和.这个时间很短.此图上画的是一个CMOS,通电后没有上面讲的正反馈,在34电势第一次到栅极时Q2便已饱和了,假若没有限流电阻R8(这个电阻器也可让上升沿或下降沿不致过陡减小EMI),栅极电压Vg=V3-Vc5(此时Vc5=0).Q2饱和后,虽导通电流不再增加,但12绕组在贮能,励磁电流仍在增加,34电势仍存在,便通过Q2的结电容(三极管是发射结)或其它回路对C5充电,C5两端电荷聚集便有压降,左负右正,V3不变,Vc5上升了,Vg当然会下降,当降到一定程度时,Q2要退出饱和进入线性区(CMOS也可这样比喻),12电流要减小,有一感生电流要阻碍其减小,这一感生电流要与其同向才可阻碍其减小,感生电势1负2正,耦合到34绕组3负4正,这一电势与先前电容端压降(左负右正)成串联叠加,Vg很负使Q2一下子截止.Q2截止后此时有两个动作,一是绕组12向外吐能量,二是绕组此时磁链变化很小或没变化,根据愣茨定律无交变的磁链不会产生感生电势,34绕组就像一根导线,将C5的电放掉为下一次的导通作准备,这里有个二极管D4,它有双重作用,一是可以让Q2上升沿或下降沿较陡减小开关损耗,可把C5看作加速电容,二是当34绕组对C5放电较慢时,D4可将其迅速放完,所以很多电路没有这个二极管.电容电放完后,端压降又回到0,Vg由高压电阻(图中示画出)供电又进入到下一个过程.以上是最基本的分析,RCC电路有多种形式,每一种回路分析都不一样,但都是振铃原理和愣茨定律或法拉第定律.如果一个完整的电路要结合分析是比较复杂的,不要认为很简单,要设计好要花一定功夫,和FLYBACK电路是有很多不同地方的.网上虽有不少人分析过RCC,但对如何截止分析的都较模糊.希望对你有点帮助.
你说:V3不变,VC5上升了,VG会下降这一段错了,VC5最多能上升到0.7V,也并不是C5充完电后,开关管就立即退出饱和,而是由D4继续为开关提供电流或电压,当IC增加到*IB或跨导与VG的积时,开关管才退出饱和,才完成后面的过程.
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link123
LV.2
13
2007-04-10 13:48
@ydzz
你的分析我认为是错误的,如果开关管是三极管,你说的部分尚能过得去,对你说的分布电容放电,我从没听说过,有一种RCC电路,它的放电回路是很少有人能分析出来,它是对电源放电.上面是一局部图,我只是分析了一个部分,C5当然会决定振荡频率,但不是说你在这里把C5看成定时电容,当负载变化的时候或输入电压变化的时候,在完整的电路图里C5放电的快慢让之提前进入饱和或截止,这时所表现出来的频率就不同,如果一个完整的电路图要全部分析出来要写一篇长篇大论.RCC对磁理论和应用电子要求比较高,在2005年前有的大公司还专门招几个工程师研究RCC,在内地,台达的RCC是比较好的.我对RCC有一定的研究,但越研究我发现越来越不懂,主要是建立模型得不到高人指点,它的模有时比反激正激等要复杂得多,像日本人做的RCC很好,是因为建模时分析的很周到.内地人往往认为RCC很简单,都能说个大概,但作出来的产品总是不稳定.
高手应该分析开关管是怎么第二次导通的了,论坛怎么没有人分析啊!
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2007-04-10 14:39
@ydzz
你的分析我认为是错误的,如果开关管是三极管,你说的部分尚能过得去,对你说的分布电容放电,我从没听说过,有一种RCC电路,它的放电回路是很少有人能分析出来,它是对电源放电.上面是一局部图,我只是分析了一个部分,C5当然会决定振荡频率,但不是说你在这里把C5看成定时电容,当负载变化的时候或输入电压变化的时候,在完整的电路图里C5放电的快慢让之提前进入饱和或截止,这时所表现出来的频率就不同,如果一个完整的电路图要全部分析出来要写一篇长篇大论.RCC对磁理论和应用电子要求比较高,在2005年前有的大公司还专门招几个工程师研究RCC,在内地,台达的RCC是比较好的.我对RCC有一定的研究,但越研究我发现越来越不懂,主要是建立模型得不到高人指点,它的模有时比反激正激等要复杂得多,像日本人做的RCC很好,是因为建模时分析的很周到.内地人往往认为RCC很简单,都能说个大概,但作出来的产品总是不稳定.
一看就知道是高手!所以说中国人做RCC都是依葫芦画瓢画出来的!真正懂的人我看没几个!其实RCC是很复杂的!不过我也想搞个明白啊!
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hysman
LV.6
15
2007-04-10 15:01
@sbxksb
你说:V3不变,VC5上升了,VG会下降这一段错了,VC5最多能上升到0.7V,也并不是C5充完电后,开关管就立即退出饱和,而是由D4继续为开关提供电流或电压,当IC增加到*IB或跨导与VG的积时,开关管才退出饱和,才完成后面的过程.
当IC增加到*IB或跨导与VG的积时,开关管才退出饱和,才完成后面的过程---呵呵,書上都是這么說的.
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2007-04-10 20:58
图中只是画的一个局部电路.
实际的RCC电路的开通时间Ton既不是由图中的C5决定, 也不是由放大倍数或跨导决定. 如果真利用这2种方式,应该会导致输出不了想要的功率或变压器磁饱和.实际取的C5值都是比较大,作用是隔直流. 课本上,都是理论的东西,说不定是相互抄的.谁也没有实际做过.
一般有2种方式来控制开通时间,一种是在开关管的E极(或S极)接一个电流取样电阻. 取这个电压去关开关管. 根据楞次定律,引起连锁反映.类似3842的电流模式控制.
还有一种方式是对反馈绕组电压进行RC积分, 取它的输出去关开关管.这种方法很有意思, 可以做成输出电压电流成折返式(fold back)的V-I曲线. 推荐使用.
至于第2轮以后的开通过程,适当调节光耦反馈接法,可以让RCC电路是工作在临界模式,即次级绕组放完电,刚进入振铃(Ringing)的峰点开通下一个周期, 这是效率最好方式.
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ming-power
LV.4
17
2007-04-10 21:25
@deep_thought
图中只是画的一个局部电路.实际的RCC电路的开通时间Ton既不是由图中的C5决定,也不是由放大倍数或跨导决定.如果真利用这2种方式,应该会导致输出不了想要的功率或变压器磁饱和.实际取的C5值都是比较大,作用是隔直流.课本上,都是理论的东西,说不定是相互抄的.谁也没有实际做过.一般有2种方式来控制开通时间,一种是在开关管的E极(或S极)接一个电流取样电阻.取这个电压去关开关管.根据楞次定律,引起连锁反映.类似3842的电流模式控制.还有一种方式是对反馈绕组电压进行RC积分,取它的输出去关开关管.这种方法很有意思,可以做成输出电压电流成折返式(foldback)的V-I曲线.推荐使用.至于第2轮以后的开通过程,适当调节光耦反馈接法,可以让RCC电路是工作在临界模式,即次级绕组放完电,刚进入振铃(Ringing)的峰点开通下一个周期,这是效率最好方式.
完全支持deep_thought的分析,C5只是加速作用,頻率是由初級的電感量來改變.目前用MOS做開關的是以電流取樣去開掉開關管,使三极管的是用RC積分來完成的.
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ming-power
LV.4
18
2007-04-10 21:28
關掉MOS是因為開通后的PK電流增大,在R2上產生電壓降,利用此電壓降去關掉開關MOS.
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ydzz
LV.5
19
2007-04-11 10:56
@deep_thought
图中只是画的一个局部电路.实际的RCC电路的开通时间Ton既不是由图中的C5决定,也不是由放大倍数或跨导决定.如果真利用这2种方式,应该会导致输出不了想要的功率或变压器磁饱和.实际取的C5值都是比较大,作用是隔直流.课本上,都是理论的东西,说不定是相互抄的.谁也没有实际做过.一般有2种方式来控制开通时间,一种是在开关管的E极(或S极)接一个电流取样电阻.取这个电压去关开关管.根据楞次定律,引起连锁反映.类似3842的电流模式控制.还有一种方式是对反馈绕组电压进行RC积分,取它的输出去关开关管.这种方法很有意思,可以做成输出电压电流成折返式(foldback)的V-I曲线.推荐使用.至于第2轮以后的开通过程,适当调节光耦反馈接法,可以让RCC电路是工作在临界模式,即次级绕组放完电,刚进入振铃(Ringing)的峰点开通下一个周期,这是效率最好方式.
很好,在电源网上对RCC的分析我终于看到有一个人说用折返式振铃来解释.
我并没有说RCC的频率是由C5决定的,它的确由初级电感量来决定,如果你仔细推导公式或做一个实验,你会看到在负载或输入电压改变时这个RC积分对它的影响.
顺便说一下,这个振铃有多种方式我知道的就不下10种.
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2007-04-11 11:23
看了你们的分析,我突然有个想法??对于你们分析的结论,你们通过试验验证过吗??我是说的亲手自己试验啊?对于那些模型仿真的不算啊?因为仿真只是辅助分析的,真正的还是要亲自试验,如果没有亲自试验的话,只是道听途说是话不能算数的.
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zcmfly
LV.4
21
2007-04-11 18:01
@ydzz
很好,在电源网上对RCC的分析我终于看到有一个人说用折返式振铃来解释.我并没有说RCC的频率是由C5决定的,它的确由初级电感量来决定,如果你仔细推导公式或做一个实验,你会看到在负载或输入电压改变时这个RC积分对它的影响.顺便说一下,这个振铃有多种方式我知道的就不下10种.
一:  不过赞同第二周期后RCC电源启动是由变压器折返式振铃造成的.
支持依据:当电源启动后,当断开启动电阻时,电源仍能正常工作.
二:当电源没做间隙振荡时,频率由初级电感量决定.这时电源工作在临界模式.做间隙振荡时,C5就决定间隙振荡频率了.由启动电阻与C5决定频率
原因:间隙振荡时,电源会停振N周期,再起振频率由启动电阻与C5的RC时间常数成正比.(当然决定频率还有一个重要因素,呵呵.这只是一部分)此时电源工作在断续模式.
三:C5还有一个用法.开关管用三极管不好观查.用MOS管就方便了.
你取不同的C5值,高低压观察MOS管GATE电压变化就知了.相同启动电阻下,一般C5越大,间隙频率越低,待机小.但出现音频的机会多,炸机的概率多些.(C5取适当值时,在一定条件可以省去截止三极管.)
说归说,做归做,嘿嘿.想短时间做RCC好产品,还是抄好板吧.省时又省力.想那多干么呢.^_^
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aiddy.tan
LV.6
22
2007-04-11 21:54
@deep_thought
图中只是画的一个局部电路.实际的RCC电路的开通时间Ton既不是由图中的C5决定,也不是由放大倍数或跨导决定.如果真利用这2种方式,应该会导致输出不了想要的功率或变压器磁饱和.实际取的C5值都是比较大,作用是隔直流.课本上,都是理论的东西,说不定是相互抄的.谁也没有实际做过.一般有2种方式来控制开通时间,一种是在开关管的E极(或S极)接一个电流取样电阻.取这个电压去关开关管.根据楞次定律,引起连锁反映.类似3842的电流模式控制.还有一种方式是对反馈绕组电压进行RC积分,取它的输出去关开关管.这种方法很有意思,可以做成输出电压电流成折返式(foldback)的V-I曲线.推荐使用.至于第2轮以后的开通过程,适当调节光耦反馈接法,可以让RCC电路是工作在临界模式,即次级绕组放完电,刚进入振铃(Ringing)的峰点开通下一个周期,这是效率最好方式.
同意你得说法!!
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saglxh
LV.3
23
2007-04-11 22:07
@deep_thought
图中只是画的一个局部电路.实际的RCC电路的开通时间Ton既不是由图中的C5决定,也不是由放大倍数或跨导决定.如果真利用这2种方式,应该会导致输出不了想要的功率或变压器磁饱和.实际取的C5值都是比较大,作用是隔直流.课本上,都是理论的东西,说不定是相互抄的.谁也没有实际做过.一般有2种方式来控制开通时间,一种是在开关管的E极(或S极)接一个电流取样电阻.取这个电压去关开关管.根据楞次定律,引起连锁反映.类似3842的电流模式控制.还有一种方式是对反馈绕组电压进行RC积分,取它的输出去关开关管.这种方法很有意思,可以做成输出电压电流成折返式(foldback)的V-I曲线.推荐使用.至于第2轮以后的开通过程,适当调节光耦反馈接法,可以让RCC电路是工作在临界模式,即次级绕组放完电,刚进入振铃(Ringing)的峰点开通下一个周期,这是效率最好方式.
赞成这种说法!
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rhett
LV.8
24
2007-04-12 05:43
@deep_thought
图中只是画的一个局部电路.实际的RCC电路的开通时间Ton既不是由图中的C5决定,也不是由放大倍数或跨导决定.如果真利用这2种方式,应该会导致输出不了想要的功率或变压器磁饱和.实际取的C5值都是比较大,作用是隔直流.课本上,都是理论的东西,说不定是相互抄的.谁也没有实际做过.一般有2种方式来控制开通时间,一种是在开关管的E极(或S极)接一个电流取样电阻.取这个电压去关开关管.根据楞次定律,引起连锁反映.类似3842的电流模式控制.还有一种方式是对反馈绕组电压进行RC积分,取它的输出去关开关管.这种方法很有意思,可以做成输出电压电流成折返式(foldback)的V-I曲线.推荐使用.至于第2轮以后的开通过程,适当调节光耦反馈接法,可以让RCC电路是工作在临界模式,即次级绕组放完电,刚进入振铃(Ringing)的峰点开通下一个周期,这是效率最好方式.
来看看,你的解释是对的,有两种主要的方法来控制;
此帖的图是用你说的第一种方法来控制的,C5在这就是一个加速的作用;还有一种就是用RC来控制的,ydzz的解释说的是RC的那种情况.
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caizhilin
LV.3
25
2007-04-12 10:38
@deep_thought
图中只是画的一个局部电路.实际的RCC电路的开通时间Ton既不是由图中的C5决定,也不是由放大倍数或跨导决定.如果真利用这2种方式,应该会导致输出不了想要的功率或变压器磁饱和.实际取的C5值都是比较大,作用是隔直流.课本上,都是理论的东西,说不定是相互抄的.谁也没有实际做过.一般有2种方式来控制开通时间,一种是在开关管的E极(或S极)接一个电流取样电阻.取这个电压去关开关管.根据楞次定律,引起连锁反映.类似3842的电流模式控制.还有一种方式是对反馈绕组电压进行RC积分,取它的输出去关开关管.这种方法很有意思,可以做成输出电压电流成折返式(foldback)的V-I曲线.推荐使用.至于第2轮以后的开通过程,适当调节光耦反馈接法,可以让RCC电路是工作在临界模式,即次级绕组放完电,刚进入振铃(Ringing)的峰点开通下一个周期,这是效率最好方式.
本菜鸟认为,是当开关管开通接近完成TON动作时,反馈绕组感应到正电压,并给容充电左负右正,使管子从深度饱和导通拉回来,使初级绕组感应到反向电动势.经反馈绕组负电压叠加给管子,使其迅速截子.
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caizhilin
LV.3
26
2007-04-12 10:48
@deep_thought
图中只是画的一个局部电路.实际的RCC电路的开通时间Ton既不是由图中的C5决定,也不是由放大倍数或跨导决定.如果真利用这2种方式,应该会导致输出不了想要的功率或变压器磁饱和.实际取的C5值都是比较大,作用是隔直流.课本上,都是理论的东西,说不定是相互抄的.谁也没有实际做过.一般有2种方式来控制开通时间,一种是在开关管的E极(或S极)接一个电流取样电阻.取这个电压去关开关管.根据楞次定律,引起连锁反映.类似3842的电流模式控制.还有一种方式是对反馈绕组电压进行RC积分,取它的输出去关开关管.这种方法很有意思,可以做成输出电压电流成折返式(foldback)的V-I曲线.推荐使用.至于第2轮以后的开通过程,适当调节光耦反馈接法,可以让RCC电路是工作在临界模式,即次级绕组放完电,刚进入振铃(Ringing)的峰点开通下一个周期,这是效率最好方式.
电容在此处可能是起到减小关断时间的作用,我大胆认为应该不会影响到频率.
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aiddy.tan
LV.6
27
2007-04-12 11:48
@caizhilin
电容在此处可能是起到减小关断时间的作用,我大胆认为应该不会影响到频率.
C5是不会影响工作频率的.这个试下就肯定了.
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