power mos 这样做可否降小其漏极与源极之间的压降?

电路形式是什么?MOS的做用是同步整流还是变换开关?

如果以上都不是,而只是一个开关而已,可以加高栅极驱动电压,也可以换成低内阻的管.

是上款开关电源加一个彩灯控制IC组成的一个控制器.MOS的作用只是做变换开关.如你所说的加高栅极电压,可我这个是控制IC出来就直接MOS栅极,这样根本没办法去提升栅极电压.
我现在用的MOS是ST2304 SOT-23 内阻大至为十多个欧姆(要具体查一下资料)若换低内阻的MOS可是可行,但我现苦于两个问题:一,这种低内阻的MOS比较少,特别是SOT-23封装的.二,价各上可能会比现用的高.

但从解决问题点出发,可试试,不知你有没有这方面的资料.谢谢!

没人回了,自己顶一下!

你沒有掌握mosfet的使用重點,不管如何你的gate電壓一定要大於source端5v以上(如果是logic level mosfet)不然就要10v以上,也就是source輸出是6v那gate就必須11v以上,所以改成對0v做開關比較好吧.以上提供參考.

IC直推的话才5V,推动电压不够饱和导通的,要么加一级驱动,要么换管,还有一个小方法就是提高单片机的电压到5.5-6V,因为单片机的耐电压在应用中还是很高的,可以达到7V.