根据公式算出变压器的匝比，但是输出没有得到想要的结果（15V和24V），望指教。附上仿真原理图。
fanji
我之前在基准对地没有电阻的时候也仿过，是可行的，我觉得只要给反馈电压就行了，没必要有对地电阻，那时候输入比较低只有36伏，我昨天把里面的mosfet换成了IGBT，可以了，但是不知道为什么会这样。
已改好，见附件。
1、换了个MOSFET模型，并增加GS端电阻；
2、请仿真足够长时间，比如100ms。
谢谢，刚刚又仿真了一下，确实可以了，之前也试过换成IGBT，也可以，看来还是开关管模型的问题，不知道是什么原因。
还有关于在MOSFET的GS端并联一个电阻，不知道有什么作用。我知道的只是减小MOSFET在静电环境下的损坏，还有在网上看了一种解释，是关于在还没有加驱动电压的情况下，防止电压通过Cgd向Cgs充电，导致DS极导通，烧坏管子，不知道这样解释对不对？
这位老师，连着上次和你讨论的话题，我之后又在变压器的原边加上了吸收电路，待会我会附上仿真原理图，吸收电路的参数计算我是参考了一篇文章的，待会也会附上，问题是加上了吸收电路后，原理图报错了，如图：
下面附上仿真原理图fanji
吸收电路参数计算：RCD设计
问一下，一般的要模仿TR，那个页面怎么设置
