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求助:双MOS串联反激电源驱动问题

 

请看附件原理图,转自北方人

上管的栅极驱动电路怎么理解? 四个稳压管的作用是什么?

版主能不能帮分析下双管开通和关断的过程,谢谢!

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2013-03-15 15:31
图呢?点击“浏览”,上传图片或附件;上传完毕,需点击“插入编辑器”。
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li012584
LV.1
3
2013-03-15 16:58
@ymyangyong
图呢?点击“浏览”,上传图片或附件;上传完毕,需点击“插入编辑器”。

谢谢!   多指教

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2013-03-15 17:49
@li012584
谢谢!  多指教
北方人的参赛帖中看见过该电路。上管相当于一个串联线性稳压,用来分担耐压,输入800v以下是电压跟随(类似于直通),800v以上是给下管800v限压。下管开关过程按3844反激来看,就不累述了。
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2013-03-15 18:44

给你一份参考资料:PI高压扩展 

 

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li012584
LV.1
6
2013-03-17 13:25
@ymyangyong
在北方人的参赛帖中看见过该电路。上管相当于一个串联线性稳压,用来分担耐压,输入800v以下是电压跟随(类似于直通),800v以上是给下管800v限压。下管开关过程按3844反激来看,就不累述了。

那么下关的最高承受电压不会高过800V,上管的耐压就是反射电压加上漏感尖峰咯?

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li012584
LV.1
7
2013-03-17 13:26
@世界真奇妙
给你一份参考资料:[图片]PI高压扩展 [图片] 
太感谢你了,这份资料对我有很大的帮助
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2013-03-17 13:34
@li012584
那么下关的最高承受电压不会高过800V,上管的耐压就是反射电压加上漏感尖峰咯?
上管还要加上输入高于800v时的部分母线电压。
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li012584
LV.1
9
2013-03-18 09:43
@ymyangyong
上管还要加上输入高于800v时的部分母线电压。

下管MOS的VCE电压容易出现振铃电压,可能会搞过他的耐压,一般的做法是在稳压管上串联一个电阻,这个电阻的阻值应该怎么考虑?还是说只能通过实际测试中来调整?

另外,能不能用隔离变压器来同时驱动上下管,这种方式会不会更好点。

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2013-03-18 10:02
@li012584
下管MOS的VCE电压容易出现振铃电压,可能会搞过他的耐压,一般的做法是在稳压管上串联一个电阻,这个电阻的阻值应该怎么考虑?还是说只能通过实际测试中来调整?另外,能不能用隔离变压器来同时驱动上下管,这种方式会不会更好点。

下管电压已经被上管钳位到800v了,还要稳压管干什么?隔离变压器来同时驱动上下管的话不如改成双管反激,这是另一种较合适的拓扑。

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li012584
LV.1
11
2013-03-18 10:06
@ymyangyong
上管还要加上输入高于800v时的部分母线电压。

上管的开通关断时间会很长,这样导致动态损耗增大!

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2013-03-18 10:17
@li012584
上管的开通关断时间会很长,这样导致动态损耗增大!
没具体做过,估计会存在你说的问题。参考下单管反激http://bbs.dianyuan.com/topic/891107http://bbs.dianyuan.com/topic/893029,或用双管反激也不错。
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li012584
LV.1
13
2013-03-18 10:35
@世界真奇妙
给你一份参考资料:[图片]PI高压扩展 [图片] 

你发的文档中间,图三电源效率曲线表达出来的问题很严峻,为什么在高压输入时效率会如此低?文档中说是因为开关损耗和导通损耗增大造成,开关损耗增大能理解,但是导通损耗是怎么增大的,能帮解释下吗?谢谢

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li012584
LV.1
14
2013-03-18 12:18
@ymyangyong
下管电压已经被上管钳位到800v了,还要稳压管干什么?隔离变压器来同时驱动上下管的话不如改成双管反激,这是另一种较合适的拓扑。[图片]
钳位到800V用的就是四个稳压二极管啦!如果不串一个合适的电阻,下管关断时VCE是出现震荡!
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cyfpower
LV.1
15
2018-06-22 18:07
@li012584
你发的文档中间,图三电源效率曲线表达出来的问题很严峻,为什么在高压输入时效率会如此低?文档中说是因为开关损耗和导通损耗增大造成,开关损耗增大能理解,但是导通损耗是怎么增大的,能帮解释下吗?谢谢
我实际测到的上管的驱动电压均值在7V左右,MOS管也很热,效率不高
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