大功率的感应加热都是并联谐振？
比如80KW到160KW功率段
大功率的感应加热都是并联谐振？
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你说的是可控硅全桥谐振吧，可控硅容量大，耐冲击大，但是，可控硅有个非常脆弱的地方，就是，工作频率低以及电压上升率耐受低
而并联谐振恰好能满足可控硅这种需要，所以，单级可控硅谐振电源可以轻易做到上百KW或几百KW
单芯片快速可控硅，容量做到几KV并且几KA，非常容易，而单芯片的IGBT，很难做的很大，超过100A的IGBT模块，都是多芯片并联了，单晶片的可控硅，硅圆直径大于3cm以上，甚至5cm直径以上，非常容易见到，而且易生产，而IGBT，单晶片直径大于1cm就非常困难了（需要多片并联）
由于可控硅不能自关断，所以，在全桥谐振中，有一套极其复杂的可控硅自关断机制，这套关断系统的精巧及复杂程度，令人叹为观止
现在，由于IGBT的出现，它能自关断，性能远远优于IGBT（除了大电流方面），并且可以使用冲击电流小的串联谐振结构，基本上100KW以内的功率范围，全被IGBT被取代了
而大功率方面，由于IGBT模块电流容量及电压容量所限，上百KW或更大功率的单级谐振电源，仍然是可控硅的天下
可控硅全桥谐振的主柘朴，非常简单，但它的驱动及辅助关断部分，却极其复杂，而且需要专门的启动电路，启动困难，关闭困难，工作频率低等，缺点非常多，优点只有一个，就是单级功率极大，几KKW都能做到，一般常见的是几百KW，比如600KW熔铜炉电源
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@米山人家
你说的是可控硅全桥谐振吧，可控硅容量大，耐冲击大，但是，可控硅有个非常脆弱的地方，就是，工作频率低以及电压上升率耐受低而并联谐振恰好能满足可控硅这种需要，所以，单级可控硅谐振电源可以轻易做到上百KW或几百KW单芯片快速可控硅，容量做到几KV并且几KA，非常容易，而单芯片的IGBT，很难做的很大，超过100A的IGBT模块，都是多芯片并联了，单晶片的可控硅，硅圆直径大于3cm以上，甚至5cm直径以上，非常容易见到，而且易生产，而IGBT，单晶片直径大于1cm就非常困难了（需要多片并联）由于可控硅不能自关断，所以，在全桥谐振中，有一套极其复杂的可控硅自关断机制，这套关断系统的精巧及复杂程度，令人叹为观止 现在，由于IGBT的出现，它能自关断，性能远远优于IGBT（除了大电流方面），并且可以使用冲击电流小的串联谐振结构，基本上100KW以内的功率范围，全被IGBT被取代了 而大功率方面，由于IGBT模块电流容量及电压容量所限，上百KW或更大功率的单级谐振电源，仍然是可控硅的天下 可控硅全桥谐振的主柘朴，非常简单，但它的驱动及辅助关断部分，却极其复杂，而且需要专门的启动电路，启动困难，关闭困难，工作频率低等，缺点非常多，优点只有一个，就是单级功率极大，几KKW都能做到，一般常见的是几百KW，比如600KW熔铜炉电源
还是版主厉害啊 赞一个
是不是高频（MHz级别的）一般都用MOSFET，中功率、低频的用IGBT？
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@米山人家
你说的是可控硅全桥谐振吧，可控硅容量大，耐冲击大，但是，可控硅有个非常脆弱的地方，就是，工作频率低以及电压上升率耐受低而并联谐振恰好能满足可控硅这种需要，所以，单级可控硅谐振电源可以轻易做到上百KW或几百KW单芯片快速可控硅，容量做到几KV并且几KA，非常容易，而单芯片的IGBT，很难做的很大，超过100A的IGBT模块，都是多芯片并联了，单晶片的可控硅，硅圆直径大于3cm以上，甚至5cm直径以上，非常容易见到，而且易生产，而IGBT，单晶片直径大于1cm就非常困难了（需要多片并联）由于可控硅不能自关断，所以，在全桥谐振中，有一套极其复杂的可控硅自关断机制，这套关断系统的精巧及复杂程度，令人叹为观止 现在，由于IGBT的出现，它能自关断，性能远远优于IGBT（除了大电流方面），并且可以使用冲击电流小的串联谐振结构，基本上100KW以内的功率范围，全被IGBT被取代了 而大功率方面，由于IGBT模块电流容量及电压容量所限，上百KW或更大功率的单级谐振电源，仍然是可控硅的天下 可控硅全桥谐振的主柘朴，非常简单，但它的驱动及辅助关断部分，却极其复杂，而且需要专门的启动电路，启动困难，关闭困难，工作频率低等，缺点非常多，优点只有一个，就是单级功率极大，几KKW都能做到，一般常见的是几百KW，比如600KW熔铜炉电源
长见识了
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@米山人家
你说的是可控硅全桥谐振吧，可控硅容量大，耐冲击大，但是，可控硅有个非常脆弱的地方，就是，工作频率低以及电压上升率耐受低而并联谐振恰好能满足可控硅这种需要，所以，单级可控硅谐振电源可以轻易做到上百KW或几百KW单芯片快速可控硅，容量做到几KV并且几KA，非常容易，而单芯片的IGBT，很难做的很大，超过100A的IGBT模块，都是多芯片并联了，单晶片的可控硅，硅圆直径大于3cm以上，甚至5cm直径以上，非常容易见到，而且易生产，而IGBT，单晶片直径大于1cm就非常困难了（需要多片并联）由于可控硅不能自关断，所以，在全桥谐振中，有一套极其复杂的可控硅自关断机制，这套关断系统的精巧及复杂程度，令人叹为观止 现在，由于IGBT的出现，它能自关断，性能远远优于IGBT（除了大电流方面），并且可以使用冲击电流小的串联谐振结构，基本上100KW以内的功率范围，全被IGBT被取代了 而大功率方面，由于IGBT模块电流容量及电压容量所限，上百KW或更大功率的单级谐振电源，仍然是可控硅的天下 可控硅全桥谐振的主柘朴，非常简单，但它的驱动及辅助关断部分，却极其复杂，而且需要专门的启动电路，启动困难，关闭困难，工作频率低等，缺点非常多，优点只有一个，就是单级功率极大，几KKW都能做到，一般常见的是几百KW，比如600KW熔铜炉电源
IGBT做到100KW以上的早就有了！
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