SG3525+IR2110+全桥，遇到怪问题，希望大神们不吝赐教...

两片IR2110出来的PWM信号直接驱动全桥，母线电压24V，可是在PWM占空比改变的情况下，MOS管VDS的占空比始终保持最大占空比不变，如下图所示。黄色为驱动波形，绿色为VDS波形。由于是自己搭接的电路，波形不是很好。请大神们帮我分析下。不胜感激...

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米山人家

LV.8

2013-01-29 23:05

才24V波形就这么差了

如果是超过100V，你来不及抓图，板子就炸掉了

1，死区时间太大，

2，驱动过强

3，另外还有一种可能就是，全桥工作在容性状态，你的驱动频率，低于LC的谐振频率，电流相位超前了

但要首先把第一点排除掉再说

chandlar

LV.2

2013-01-29 23:20

@米山人家

才24V波形就这么差了如果是超过100V，你来不及抓图，板子就炸掉了 1，死区时间太大，2，驱动过强3，另外还有一种可能就是，全桥工作在容性状态，你的驱动频率，低于LC的谐振频率，电流相位超前了但要首先把第一点排除掉再说

谢谢您的指教

1. 这个死区是我故意调出来的，想看看改变死区时间会不会让VDS有所改变。之前死去时间非常小的时候，情况一样。

2. IR2110驱动40A/600V的MOS管驱动能力应该不是过强吧。

3. 现在频率是50K左右，我将频率升到100K时，问题同样存在。这点我再验证一下。请问还有其他可能的原因吗？

再次感谢！

米山人家

LV.8

2013-01-29 23:32

@chandlar

谢谢您的指教1.这个死区是我故意调出来的，想看看改变死区时间会不会让VDS有所改变。之前死去时间非常小的时候，情况一样。2.IR2110驱动40A/600V的MOS管驱动能力应该不是过强吧。3. 现在频率是50K左右，我将频率升到100K时，问题同样存在。这点我再验证一下。请问还有其他可能的原因吗？再次感谢！

死区时间一定不能过大，如果你要观察VDS的变化情况，可以用其它方式

2110的驱动方面，你自己分析，我不解释

如果频率升到100K仍存在同样问题，那么你的主电路肯定有哪里没处理好

你的LC是串联还是并联，如果是并联的话，就当我没说过

chandlar

LV.2

2013-01-29 23:47

@米山人家

死区时间一定不能过大，如果你要观察VDS的变化情况，可以用其它方式2110的驱动方面，你自己分析，我不解释如果频率升到100K仍存在同样问题，那么你的主电路肯定有哪里没处理好你的LC是串联还是并联，如果是并联的话，就当我没说过

不好意思，让您见笑了，我也是刚刚接触电源，有很多不懂。。做这个电源也是自己凭兴趣搭建的，波形不好，我再改进。

现在我全桥主电路没有接变压器，接变压器问题同样存在。MOS管用RC串联作缓冲。我将RC去掉，仍然有问题。真是奇怪了，晚上查了一晚上，头都大了。

chandlar

LV.2

2013-02-04 11:20

问题还是没有解决，有木有大师出来帮下忙，谢谢

classtwo

LV.6

2013-02-05 09:26

@chandlar

问题还是没有解决，有木有大师出来帮下忙，谢谢

电路是空载吧？这个波形除了不太好大之外基本是正常的。

chandlar

LV.2

2013-02-05 10:45

@classtwo

电路是空载吧？这个波形除了不太好大之外基本是正常的。

是空载，现在波形好点了。现在死区时间为0.5%左右，无论怎么调节占空比，VDS的占空比始终保持不变，为最大占空比，不知道是为什么。驱动加负压，减弱驱动能力都不能关断MOS，貌似MOS只在最大占空比时关断

dpwish

LV.2

2013-02-05 13:13

@classtwo

电路是空载吧？这个波形除了不太好大之外基本是正常的。

确实是因为纯空载引起的。输出并一个电阻就会发现好了，尖峰电压大可能是因为导通电阻太小。调大点试试。

dpwish

LV.2

2013-02-05 13:15

@chandlar

不是没有关断，而是因为DS的结电容储能。我也碰到过，大功率的IGBT模块用低压做单板调试的时候。

chandlar

LV.2

2013-02-05 14:22

@dpwish

确实是因为纯空载引起的。输出并一个电阻就会发现好了，尖峰电压大可能是因为导通电阻太小。调大点试试。

嗯，谢谢您的指点。我回去试试，有什么办法能将Cds的影响消除呢？之前做全桥，从没遇到过这个问题。

chandlar

LV.2

2013-02-21 22:32

IR2103+SG3525，全桥电路。

年后又调试了下，发现问题仍然没有解决，奇了怪了，上几张波形图。

1. 未带高频变压器，最大占空比。

2. 未带高频变压器，调小占空比。

3. 带2.5K电阻负载，最大占空比。

4. 带2.5K电阻负载,将占空比减小。

MOS管是40A/500V的IRFPS40N50L,驱动IC改用IR2103后加图腾输出驱动MOS。调试时母线电压采用15V。逆变频率是100K。主电路MOS带RC缓冲电路，为减小Cds的影响，在MOS的GS间并了100PF的电容。请大侠帮忙分析一下，晚辈感激不尽。

classtwo

LV.6

2013-02-22 16:39

@chandlar

IR2103+SG3525，全桥电路。年后又调试了下，发现问题仍然没有解决，奇了怪了，上几张波形图。1.未带高频变压器，最大占空比。[图片] 2.未带高频变压器，调小占空比。[图片] 3.带2.5K电阻负载，最大占空比。[图片] 4.带2.5K电阻负载,将占空比减小。[图片] MOS管是40A/500V的IRFPS40N50L,驱动IC改用IR2103后加图腾输出驱动MOS。调试时母线电压采用15V。逆变频率是100K。主电路MOS带RC缓冲电路，为减小Cds的影响，在MOS的GS间并了100PF的电容。请大侠帮忙分析一下，晚辈感激不尽。

电阻减小，或者简单点你用2~3个200W的白炽灯串联作为负载，你就会看到你想要的波形了