• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

vcore的PWM輸出high side和low side MOSFET的選擇標準

選擇vcore的PWM輸出high side和low side MOSFET的時候有RDS(on),Vgs,Qds這些參數,請問各位選擇high sideMOSFET,和low  side MOSFET分別和什麽參數有關?請指點,謝謝!
全部回复(2)
正序查看
倒序查看
alienware
LV.1
2
2019-01-27 06:51
Rdson是导通损耗,Qds是开关损耗,Vgs是阈值,分呀发质和饱和导通
0
回复
alienware
LV.1
3
2019-01-27 06:53
high side和导通时间占空比,效率,器件离散性有关系,一般highside大于low
0
回复