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请大侠们帮忙分析下MOS管发热的问题。。。

我用运放做了个PWM调节电路驱动一个DC-AC升压电路,具体电路图如下:

PWM频率75KHZ左右,起初VDD接12.2V电源,变压器用变比为12/320(只用了一组次级线圈)次级直接接一个220VAC 40W白炽灯泡,调节电位器使灯泡到正常照明亮度时Q4(IRF1404)发热很小,灯亮一分钟不烫手。后来我用POT3319磁芯新绕了个初级10T次级140T变压器,这次VDD用24VDC,输出电压跟之前应当差不多,理想状况下白炽灯正常工作时初级线圈电流应当为之前用12/320变压器时的一半,MOS管发热会更小才对;然而实际情况却是MOS管发热很快,灯调到正常亮度不到5秒钟MOS管就烫的去不了手了。用示波器观察G极驱动波形很正常,与VDD接12V没有区别,理论上通过MOS管的电流变小了,但MOS管为什么发热反而变大了呢?

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2012-10-09 09:29
24V时1404耐压已经不够了
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tdcwolf
LV.2
3
2012-10-09 10:25
@xzszrs
24V时1404耐压已经不够了

谢谢指教!再多问一句,那么是不是说MOS管判断瞬间初级来的反峰和电源电压叠加使MOS管出现的漏电流造成的MOS管发热呢?

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tdcwolf
LV.2
4
2012-10-11 14:19

没人顶,自回一帖!昨天仔细观察G极波形终于发现问题,上24V时G极下降沿变缓了,也就是关断时间变长了,自然开关损耗增大了,看来DS电压高的时候相应的GS驱动能力也要增强才行。

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古榕树
LV.4
5
2012-10-12 18:38
@tdcwolf
没人顶,自回一帖!昨天仔细观察G极波形终于发现问题,上24V时G极下降沿变缓了,也就是关断时间变长了,自然开关损耗增大了,看来DS电压高的时候相应的GS驱动能力也要增强才行。

好贴,期待改善。

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tdcwolf
LV.2
6
2012-10-12 20:55
@古榕树
好贴,期待改善。

采用单电源供电时TL084输出的PWM波低电平只能到1V左右,因此三极管组成的驱动电路下拉能力完全依赖R12,将R12由原来的2K改为200欧后下拉效果基本满意,PWM波下降时间由原来的接近2US下降到1US以内,MOS管发热明显减少,只是有个缺点,占空比大的时候R12发热较快。要想进一步改善驱动波形只能采用一个更高速的运放做PWM调制了,最好有一定下拉能力。

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