由于最近在做一款照明电源，采用半桥隔离驱动，在调试过程发现，芯片本体驱动800V MOS管要比驱动600V MOS 管烫（常温下80度），对比时其它条件不变。现在想在不改变驱动芯片的情况下，如何提高芯片的驱动能力，驱动800VMOS?
600V MOS工作时驱动波形（Q g=27nc;RDS=0.165-0.19欧姆）：
800V MOS工作时驱动波形（Qg=88-117nc;RDS=0.25-0.29欧姆）
从工作时驱动波形可知，800V驱动波形很尖，MOS管导通时间很短，并且在开通和关断是有一定的震荡产生。
为在不改变驱动芯片的情况下驱动此款800V MOS，试图调整驱动变压器感量大小，驱动电阻大小、芯片死区时间大小均无效果，还望高手给予指导!!!!!!
