您好, 登录| 注册|
论坛导航
您好, 登录| 注册|
子站:
产品/技术
应用分类

集成900 V MOSFET的开关电源IC可为市电电压不稳的地区提供有效的安全边距

2019-05-23 10:35 来源:PI 编辑:电源网

Power Integrations现可提供集成900 V初级MOSFET的全套离线式开关电源IC,这些产品系列包括LinkSwitch-TN2、LinkSwitch-XT2和InnoSwitch3-EP。应用范围涵盖市电电压较高和不稳的地区的高品质消费电子产品和480 VAC以内的三相工业电源。

微信截图_20190523103729

这些高度集成的900V器件可帮助设计工程师实现全球通用的电源,满足全球各地用户的可靠性预期。它们还可以取代现有电源板设计中相应的725V开关器件,无需修改设计即可支持更高电压。新IC包括下列900V版本:

LinkSwitch-TN2 -适合元件数极少的非隔离降压式变换器

LinkSwitch-XT2 -适合8 W以内的隔离和非隔离反激式电源

InnoSwitch3-EP -适合35 W以内效率极高的隔离反激式电源

参考设计报告:

DER-737 -使用900 V LinkSwitch-TN2的1.44W非隔离降压式变换器

DER-736 -使用900 V LinkSwitch-XT2的7 W非隔离反激式电源

DER-745 -使用900 V InnoSwitch3-EP的10 W两路输出反激式电源

声明:本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱:editor@netbroad.com。

微信关注
技术专题 更多>>
2019年慕尼黑上海电子展电源网直播报道
全方位解读新半导体材料

头条推荐

2019慕尼黑上海电子展
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
免费技术研讨会
获取一手干货分享

互联网违法不良信息举报

Reporting Internet Illegal and Bad Information
editor@netbroad.com
022-58392381