微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器,这会严重影响浏览网页,请使用微软最新的Edge浏览器
厂商专区
产品/技术
应用分类

绝缘栅型场效应管之图解

2018-10-17 10:49 来源:互联网 编辑:Angelina

绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件,它的栅极与半导体之间是绝缘的,其电阻大于1000000000Ω。

增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD。耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。

1. 结构和符号(以N沟道增强型为例)

在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

绝缘栅型场效应管之图解

N沟道绝缘栅型场效应管结构动画

绝缘栅型场效应管之图解

其他MOS管符号

2. 工作原理(以N沟道增强型为例)

绝缘栅型场效应管之图解

(1) VGS=0时,不管VDS极性如何,其中总有一个PN结反偏,所以不存在导电沟道。

VGS =0,ID =0,VGS必须大于0,管子才能工作。 

绝缘栅型场效应管之图解

(2) VGS>0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。

VGS >0→g吸引电子→反型层→导电沟道。

VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑

绝缘栅型场效应管之图解

(3) VGS≥VT时而VDS较小时:VDS↑→ID ↑

VT:开启电压,在VDS作用下开始导电时的VGS。VT = VGS —VDS。

绝缘栅型场效应管之图解

(4) VGS>0且VDS增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。

VDS↑→ID 不变

声明:本内容为作者独立观点,不代表电源网。本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱∶editor@netbroad.com。

相关阅读

微信关注
技术专题 更多>>
研发工程师的工具箱
智慧生活 创新未来

头条推荐

电子行业原创技术内容推荐
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
获取一手干货分享
免费技术研讨会
editor@netbroad.com
400-003-2006