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功率MOS管的5种损坏模式详解

2018-07-09 16:53 来源:互联网 编辑:Angelina

第一种:雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

第二种:器件发热损坏

由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗引起的发热

●导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,导致一定电流下,功耗增加)

●由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极小)

瞬态功率原因:外加单触发脉冲

●负载短路

●开关损耗(接通、断开) *(与温度和工作频率是相关的)

●内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)

器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流,造成瞬时局部发热而导致破坏。另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。

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第三种:内置二极管破坏

在DS端间构成的寄生二极管运行时,由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行,

导致此二极管破坏的模式。

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标签: 功率 MOS管

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