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派更半导体宣布具有量产RF SOI开关能力

2017-05-17 10:37 来源:派更半导体 作者:电源网

PE42525和PE426525具有高速开关、高隔离度、低插入损耗及出色的线性度等特性,为微波频段上的RF SOI设定了新标准

RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布,其可立即量产供应UltraCMOS® 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓(GaAs)技术主导的频段。

这两种60 GHz开关在所有关键射频参数上均表现出杰出的性能,最高开关速度仅8纳秒。PE42525是5G系统中测试与测量(T&M)设备、微波回传解决方案及更高频率开关的理想选择。PE426525扩展了适用温度区间,成为工业市场中严苛环境应用的首选。

派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示:“去年10月初,我们在欧洲微波与射频通讯技术专业展览会(European Microwave Week)上宣布将推出60 GHz开关样品和评估工具,获得了巨大的市场反响。这些高频开关在多个市场被广泛应用,包括5G、测试与测量和防务市场等。这些开关不仅打破了高频开关产品的范例,同时也改变了SOI快速开关的固有模式。”

PE42525和PE426525是派更公司高频产品组合的成员,该产品组合包括多款开关产品、一种镜像抑制混频器,及多款单片相位与幅度控制器(MPAC)。派更公司的专属UltraCMOS技术平台可确保这些产品达到较高的频率,且不会对产品性能或可靠性造成影响。

产品特性、封装、价格与供货

PE42525与PE426525均为单刀双掷(SPDT)射频开关,可支持9 kHz~60 GHz的宽广频率区间。这两款反射式开关可实现惊人的8纳秒高速开关速度,以及3纳秒的RF TRISE/TFALL时间。这两款开关仅需390纳安的低电流。除所有关键射频规格均达到卓越性能外,它们还具备端口间高隔离度、低插入损耗、大功率处理能力、高线性度及杰出1 kV HBM ESD保护等性能。在50 GHz时,PE42525与PE426525的端口间隔离度为37 dB,插入损耗为1.9 dB。PE426525的扩展温度范围达到-55~+125摄氏度。

PE42525和PE426525采用500微米凸块间距的倒装片芯,这种外形最适应于高频工作,可消除因焊线结合长度而产生的性能差异。

量产零件与评估工具已上市销售。订购1千片时的价格为PE42525每片40美元,PE426525每片48美元。

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