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Ampleon于EDI CON展出LDMOS和GaN RF PA产品方案

2017-04-17 09:54 来源:Ampleon 编辑:电源网

安谱隆半导体Ampleon)今日宣布,该公司即将参加将于2017425日至27日在中国上海举行的电子设计创新大会(EDI CON)。

Ampleon将于EDI CON展示LDMOS和GaN RF PA产品组合及大功率RF解决方案

Ampleon将于243号展台展示其最新的、适用于移动宽频、广播、工业、雷达和航空电子设备以及RF能量应用的RF放大器器件和模块。产品演示包括400W S波段托盘、900W UHF广播设计和2,000W 127MHz ISM频带示例。此外,集成有面向射频能量应用的传感功能的433MHz200W托盘也将进行展示。

AmpleonLDMOS产品组合包括宽带器件、Doherty放大器晶体管、极其坚固耐用、专为工业、科学、及其医疗等应用设计的大功率器件,以及适用于民用雷达的晶体管。SiCGaN链路产品包括大功率宽带器件和前级驱动器件。

除了其最新产品和解决方案的完整阵容外,Ampleon的工作人员还将积极参与会议计划,包括作为射频能量联盟的联合创始人参加的小组会议。

425日星期二下午1:50Ampleon合肥半导体公司常务董事陈平路,将参加射频能量联盟题为2017年的固态射频能量:量的突破终于来到,不是吗?”的小组研讨会。

426日星期三下午1:45Ampleon公司高级RF工程师Francis Auvray将主持一场关于面向5G应用的20W全集成3.5GHz GaN Doherty MMIC的研讨会。

此外,426日星期三,Ampleon公司研发/技术部高级副总裁Nick Pulsford将于下午1:45参与探讨移动基础设施的发展趋势。

此外,该公司当地分销合作伙伴——鼎芯(DXY)、飞环电子和天圣华科技的工作人员,也将与Ampleon一起在展台上展出。

标签: LDMOS GaN RF

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