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摩尔定律仍有效?英特尔台积电半导体技术各有优势

2017-03-30 10:20 来源:电源网综合 编辑:电源网

半导体制程谁领先?其实单就芯片制造技术的角度来看,英特尔的确仍是市场龙头,不论是高介电金属闸极(HKMG)或是3D电晶体架构,仍是领先全球最先采用的厂商,之后台积电及三星才跟进。虽然台积电今年已量产10纳米制程,但至今仍不敢讲出技术上已超越英特尔这句话。

摩尔定律仍有效?英特尔台积电半导体技术各有优势

若由摩尔定律的定义,也就是集成电路中的电晶体数量,每隔18~24个月就会增加一倍的情况来看,英特尔的制程节点的确是按摩尔定律发展。就最先进的10纳米鳍式场效电晶体(FinFET)技术而言,每平方公厘内含电晶体数超过1亿个,电晶体闸极间距(gate pitch)达54纳米,最小金属间距(min metal pitch)仅36纳米,都已创下半导体业界新纪录。

以台积电或三星的10纳米FinFET制程来看,不仅芯片集成度不如英特尔,闸极间距约70纳米左右,最小金属间距约在40纳米左右,也与英特尔10纳米技术有所差距。也因此,英特尔才会在昨日的技术及制程大会中,强调自己仍是全球技术最先进的半导体厂。

不过,英特尔的主力产品是处理器,处理器本来就是要追求最高的芯片集成度,才能不断的提升运算时脉速度。但对晶圆代工厂台积电等厂商来说,许多客户的芯片并不是要追求最高的集成度。如手机芯片来说,运算时脉很快其实不代表什么,更低的运算功耗、更多的功能整合,反而才是重点。

对台积电来说,该公司的10纳米制程本来就跟英特尔的10纳米制程不一样,微缩的速度、制程节点的界定等,各有各的优缺点。简单来说,英特尔在最小闸极间距及最小金属闸距上,以及芯片集成度上,的确胜过台积电,但在功耗的表现上,台积电的每一世代制程微缩,都可让功耗明显降低,英特尔的制程表现似乎就没那么明确。

总体来看,英特尔及台积电在半导体技术上是各擅胜场,且两家业者是处于既竞争又合作的关系之中,但在先进制程上、两家业者却有个共通点,那就是“摩尔定律仍然有效”。

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