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本文根据一个案例来进行问题的分析，在电路中高灵敏度单向可控硅与阻性负载串联，（因为控制电路只能提供微弱的触发信号，只能选用高灵敏度的单向可控硅），220AC经整流后用可控硅控制通断，可控硅最大通态电流10A左右。用MCR72{MCR72的Igt〈=200uA}控制100W的阻性负载后可控硅误触发现象很严重，通电不加触发信号自动导通，也不可以正常过零关断，那么在可控硅两端增加RC吸收电路会有效果吗？
此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A与G之间会存在寄生电容，dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发。
另一方面需要考虑的，就是高灵敏度电路这个因素，特别是有丰富谐波的高频电路的误动作往往出于工艺设计而非电原理图的问题，例如PCB布板等，电原理图设计只要遵循器件的参数需求和设计注意即可。
可以看到，在高灵敏度的单向可控硅的误触发问题中高灵敏度电路是一个需要充分考虑的问题，问题往往出现在制作工艺上而非在原理图阶段就存在问题。希望大家在阅读过本文之后能够对于单向可控硅的触发问题有自己的理解。
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