微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器,这会严重影响浏览网页,请使用微软最新的Edge浏览器
厂商专区
产品/技术
应用分类

TI低反向漏电流的智能二极管评估方案

2016-05-10 09:37 来源:电源网综合 编辑:铃铛

德州仪器的LM74610-SQEVM针对于取代肖特基二极管的反极性保护方案,提供了较为方面的解决方案。此款评估模块同样继承了零Iq和低反向漏电流的优点,在接下来的内容中小编将为大家介绍关于这款评估模块的相关细节。

LM74610-SQEVM评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和P通道MOSFET的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中,LM74610智能二极管控制器用于为40V(VDS)外部N通道MOSFET提供栅极驱动。LM74610-SQEVM与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时,LM74610拉下MOSFET栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS电压钳位二极管D1_1和D1_2负责保护LM74610-SQEVM的安全以便进行ISO7637瞬态脉冲测试。

LM74610-SQEVM
LM74610-SQEVM

特性

最高输入电压为MOSFET的漏源极电压:40V;

快速响应动态电流反向:<10μs;

最高输入电压为MOSFET的漏源极电压:40V;

最大负载电流为漏电流(Id):75A;

零Iq和低反向漏电流;

符合汽车ISO7637和CISPR25要求;

通过以上介绍可以看到,此款评估模块不仅拥有较大的负载漏电流,并且由于不以接地为目的的设计,能够实现较好的零Iq和低反向漏电流效果。对此类参数有一定要求的朋友不妨通过本文来对德州仪器(TI)的此款器件进行全面的了解。

标签: TI LM74610-SQEVM

声明:本内容为作者独立观点,不代表电源网。本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱∶editor@netbroad.com。

相关阅读

微信关注
技术专题 更多>>
2024慕尼黑上海电子展精彩回顾
2024.06技术专题

头条推荐

电子行业原创技术内容推荐
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
获取一手干货分享
免费技术研讨会
editor@netbroad.com
400-003-2006