德州仪器的LM74610-SQEVM针对于取代肖特基二极管的反极性保护方案,提供了较为方面的解决方案。此款评估模块同样继承了零Iq和低反向漏电流的优点,在接下来的内容中小编将为大家介绍关于这款评估模块的相关细节。
LM74610-SQEVM评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和P通道MOSFET的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中,LM74610智能二极管控制器用于为40V(VDS)外部N通道MOSFET提供栅极驱动。LM74610-SQEVM与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时,LM74610拉下MOSFET栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS电压钳位二极管D1_1和D1_2负责保护LM74610-SQEVM的安全以便进行ISO7637瞬态脉冲测试。
特性
最高输入电压为MOSFET的漏源极电压:40V;
快速响应动态电流反向:<10μs;
最高输入电压为MOSFET的漏源极电压:40V;
最大负载电流为漏电流(Id):75A;
零Iq和低反向漏电流;
符合汽车ISO7637和CISPR25要求;
通过以上介绍可以看到,此款评估模块不仅拥有较大的负载漏电流,并且由于不以接地为目的的设计,能够实现较好的零Iq和低反向漏电流效果。对此类参数有一定要求的朋友不妨通过本文来对德州仪器(TI)的此款器件进行全面的了解。
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