声明:本内容为作者独立观点,不代表电源网。本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱∶editor@netbroad.com。
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效 | 24-03-29 10:34 |
---|---|
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率树立行业新标准 | 24-03-20 16:33 |
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展 | 24-03-15 09:17 |
Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能 | 24-03-14 13:36 |
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度 | 24-03-13 16:12 |