ST推出高频集成化微波射频合成器

中国 2016年1月27日 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）宣布推出新款的集成微波宽带射频合成器STuW81300单片，可覆盖1.925GHz至16GHz的射频频段，创下IC市场上最宽频带和最高频率的记录。与基于III-V技术的低集成度的传统微波射频合成器相比，STuW81300采用意法半导体的具有业界领先性能的BiCMOS SiGe集成制造工艺，可降低组件成本，实现经济效益更高的多用途射频架构。

STuW81300整合了N型分频锁相环（PLL，phase-locked-loop）内核，以及低器噪宽带压控振荡器（VCO，voltage-controlled oscillators）和稳压器。此外，STuW81300还提供各种可编程硬件选项，以满足最新和未来射频/微波应用需求，其中包括射频通信、卫星通信、基站、测试测量设备。

为支撑微波应用市场迅猛扩张，微波频段（6GHz以上）的使用规模正在稳步增长，市场需要成本结构优化的能够开拓新市场的新一代射频设备。将分立的砷化镓（GaAs，gallium arsenide）架构集成到宽带SiGe芯片内，可满足这个需求。

STuW81300的主要技术特性有：

·最宽的工作频段，1.925GHz-16GHz（可分配给两个射频输出）

·内部宽带匹配射频输出功率：+6dBm@6GHz；+4dBm@12GHz

·倍频输出基本VCO抑制高于20dB

·-227dBc/Hz归一化带内相噪底

·VCO相位噪声（6.0GHz）：-131dBc/Hz@1MHz频偏

·噪底（6.0GHz）：-158dBc/Hz

·VCO相位噪声（12.0GHz）：-125dBc/Hz@1MHz频偏

·噪底（12.0GHz）：-154dBc/Hz

·0.13ps典型RMS频率抖动

作为意法半导体的获得市场成功的STW81200和STW8110x产品系列的升级换代产品，新射频合成器提供高性能和高灵活性，可以同时在同一电路板设计上支持多频带和多射频标准。例如在卫星通信应用中，STuW81300可直接用作本机振荡器，在电路板连接一个倍频器，可调制解调Ku频段信号或者Ka频段信号。在其它应用中，STuW81300还能完全驱动外部压控振荡器（例如GaAs）。

5V或3.6V非稳压单电源让STW81300在市场上独一无二，结合优化的功耗和性能，使其应用范围从传统市电供电基础设施扩至低功耗应用。

意法半导体目前已开始提供STuW81300测试样片，并获得多家客户采用，预计2016将实现量产。意法半导体还可提供评估套件和6x6mm四边扁平封装的样片。评估工具包括STWPLLSim软件工具，让开发人员能够按照项目实际要求快速且准确地修改应用设计。