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加利福尼亚州圣何塞市 2016年1月21日 赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票交易代码：CY）宣布其领先业界的非易失性随机存取存储器（NVRAM）产品组合新增晶圆产品。赛普拉斯的NVRAM产品组合包括铁电RAM（F-RAM™）和非易失性静态RAM（nvSRAM），可在断电时为重要数据提供可靠保护。很多关键任务应用除了需要F-RAM和nvSRAM的独特优势之外，还需要能够实现小巧、独特封装选项的裸片。
赛普拉斯的F-RAM是业内能效最高的NVRAM技术，具有近乎无限的100万亿次读写耐久性。F-RAM存储单元中的铁电材料可抵御由辐射或磁场导致的数据损坏，因此可为医疗、航天和国防应用提供软错误免疫能力。赛普拉斯的nvSRAM是业内速度最快的NVRAM技术，存取时间低至20ns。它具有非易失性数据保留功能，而且不需要额外的电池，同时提供无限的耐久性。
赛普拉斯非易失性产品事业部高级主管Sonal Chandrasekharan表示：“为NVRAM产品组合提供晶圆销售进一步满足了客户的广泛需求，客户现在可以在满足具体应用的封装规格的同时，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效优势。”
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