意法半导体推出新型1200V IGBT高性能低频晶体管

中国，2015年6月25日——意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出S系列1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时，新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低，大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。

意法半导体（ST）新款1200V IGBT是业内性能最好的低频晶体管

新S系列拥有当前1200V IGBT市场上最低的饱和电压，可确保更低的压降与最小的功率耗散，从而简化热管理系统。此外，正VCE（sat）温度系数结合紧密的参数分布，不仅简化多支晶体管的并联设计，亦满足更大功率应用的要求。极低的电压过冲和关断零振荡（zero oscillation），帮助电源厂商使用更简单的外部电路和更少的外部组件。

10µs最小短路耐受时间（在150°C初始结温时），无闩锁（latch-up free operation）效应，拥有175°C最高结温以及宽安全工作区。多项优势体现了新产品极强的耐用性和可靠性。

作为8kHz最高开关频率硬开关拓扑的理想选择，新款S系列采用第三代沟栅式场截止（trench-gate field-stop）型制造工艺，补充并完善了意法半导体1200V IGBT的M系列和H系列的市场布局，M系列和H系列产品分别定位在20kHz与20kHz以上的开关电源市场，与新款S系列一起，这三大系列产品将成为常用开关频率电源厂商针对先进、高能效IBGT器件的最佳选择。

最新发布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三个额定电流值，采用标准引脚或TO-247加长引脚封装。全系产品标配最新的内部续流二极管（freewheeling diode），兼备快速恢复和高恢复软度，确保IGBT具有超低电磁干扰和导通损耗。